公开(公告)号：CN110622301A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031217.5

申请日：2018-05-10

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 大塚拓一 ,  岩桥清太 ,  畑野舞子 ,  渡边龙太 ,  吉原克彦

IPC: H01L23/14

Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。

公开(公告)号：CN110622301B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201880031217.5

申请日：2018-05-10

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 大塚拓一 ,  岩桥清太 ,  畑野舞子 ,  渡边龙太 ,  吉原克彦

IPC: H01L23/14

Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。

公开(公告)号：CN112771667A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980064276.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 畑野舞子

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开的半导体装置(A1)具备：半导体元件(10A)，其具有元件主面(101)及元件背面(102)，且在元件主面(101)形成有主面电极(11)，在元件背面(102)形成有背面电极(12)；导电性基板(22A)，其具有与元件背面(102)对置的主面(221A)，且与背面电极(12)导通接合；导电性基板(22B)，其具有主面(221B)，且在宽度方向x上与导电性基板(22A)分离配置；以及引线部件(51)，其沿宽度方向(x)延伸，且将主面电极(11)和导电性基板(22B)导通连接。引线部件(51)配置于比主面(221B)靠主面(221B)朝向的方向，且经由引线接合层(32)与主面电极(11)接合。沿宽度方向(x)观察，导电性基板(22A)、半导体元件(10A)以及引线接合层(32)与导电性基板(22B)重叠。通过这样的结构，能够抑制可靠性降低。

公开(公告)号：CN110476244B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880022963.8

申请日：2018-03-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 畑野舞子 ,  大塚拓一

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 功率模块(1)具备平板状的厚铜基板(2)、配置在厚铜基板(2)上的导电性的应力缓和金属层(24U)、配置在应力缓和金属层(24U)上的半导体器件(22)和配置在应力缓和金属层(24U)上的镀层(30)，半导体器件(22)隔着镀层(30)与应力缓和金属层(24U)接合。厚铜基板(2)具备第1厚铜层(14)和配置在第1厚铜层(14)上的第2厚铜层(18)，应力缓和金属层(24U)配置在第2厚铜层(18)上。半导体器件(22)的一部分嵌入应力缓和金属层(24U)并固着。半导体器件(22)与应力缓和金属层(24U)的接合面通过扩散接合或固相扩散接合而一体化。提供一种能够不增加热阻而提高接合的可靠性的功率模块。

公开(公告)号：CN116598263A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310804059.5

申请日：2018-05-10

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 大塚拓一 ,  岩桥清太 ,  畑野舞子 ,  渡边龙太 ,  吉原克彦

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。

公开(公告)号：CN110476244A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022963.8

申请日：2018-03-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 畑野舞子 ,  大塚拓一

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 功率模块(1)具备平板状的厚铜基板(2)、配置在厚铜基板(2)上的导电性的应力缓和金属层(24U)、配置在应力缓和金属层(24U)上的半导体器件(22)和配置在应力缓和金属层(24U)上的镀层(30)，半导体器件(22)隔着镀层(30)与应力缓和金属层(24U)接合。厚铜基板(2)具备第1厚铜层(14)和配置在第1厚铜层(14)上的第2厚铜层(18)，应力缓和金属层(24U)配置在第2厚铜层(18)上。半导体器件(22)的一部分嵌入应力缓和金属层(24U)并固着。半导体器件(22)与应力缓和金属层(24U)的接合面通过扩散接合或固相扩散接合而一体化。提供一种能够不增加热阻而提高接合的可靠性的功率模块。