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公开(公告)号：CN110622301A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/14
Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN110447099B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880019835.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件具有基片、搭载层、多个开关元件、耐湿层和密封树脂。所述基片具有朝向厚度方向的主面。所述搭载层具有导电性且配置在所述主面。多个所述开关元件分别具有朝向所述厚度方向上的所述主面所朝向的一侧的元件主面、朝向与所述元件主面相反的一侧的背面和与所述元件主面和所述背面这两者相连的侧面。多个所述开关元件以所述背面与所述主面相对的状态与所述搭载层电接合。所述耐湿层覆盖至少任一个所述侧面。所述密封树脂覆盖多个开关元件和所述耐湿层这两者。所述耐湿层以在所述厚度方向上跨所述搭载层与所述侧面之间的方式与所述搭载层和所述侧面这两者接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116598263A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310804059.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。
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公开(公告)号：CN110447099A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880019835.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件具有基片、搭载层、多个开关元件、耐湿层和密封树脂。所述基片具有朝向厚度方向的主面。所述搭载层具有导电性且配置在所述主面。多个所述开关元件分别具有朝向所述厚度方向上的所述主面所朝向的一侧的元件主面、朝向与所述元件主面相反的一侧的背面和与所述元件主面和所述背面这两者相连的侧面。多个所述开关元件以所述背面与所述主面相对的状态与所述搭载层电接合。所述耐湿层覆盖至少任一个所述侧面。所述密封树脂覆盖多个开关元件和所述耐湿层这两者。所述耐湿层以在所述厚度方向上跨所述搭载层与所述侧面之间的方式与所述搭载层和所述侧面这两者接触。
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公开(公告)号：CN117393509A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311347839.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件具有基片、搭载层、多个开关元件、耐湿层和密封树脂。所述基片具有朝向厚度方向的主面。所述搭载层具有导电性且配置在所述主面。多个开关元件分别具有朝向厚度方向上的所述主面所朝向的一侧的元件主面、朝向与所述元件主面相反的一侧的背面和与所述元件主面和所述背面这两者相连的侧面。多个开关元件以所述背面与所述主面相对的状态与所述搭载层电接合。所述耐湿层覆盖至少任一个所述侧面。所述密封树脂覆盖多个开关元件和所述耐湿层这两者。所述耐湿层以在所述厚度方向上跨所述搭载层与所述侧面之间的方式与所述搭载层和所述侧面这两者接触。根据本发明，半导体器件能够在高温高湿下发挥稳定的性能。
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公开(公告)号：CN110622301B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/14
Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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