公开(公告)号：CN117223103A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280029810.2

申请日：2022-04-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 坂井优斗 ,  大河内裕太 ,  福田谅介 ,  吴小鹏 ,  谷川昂平

IPC: H01L25/07

Abstract: 半导体装置具有：两个开关用半导体元件；第一导体，其将所述两个半导体元件各自的第二电极之间电连接；第二导体，其将所述第二电极之间电连接；第一电力端子，其与所述第一导体电连接，并与各半导体元件的所述第二电极导通。所述两个半导体元件并联连接。在所述两个半导体元件各自的所述第二电极之间，具有通过所述第一导体的第一导通路径和通过所述第二导体的第二导通路径。所述第一导通路径和所述第二导通路径两者至少一部分处于并联关系。所述第一导通路径的电感与所述第二导通路径的电感的合成电感比所述第一导通路径的电感小。

公开(公告)号：CN118020155A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280064956.0

申请日：2022-08-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 坂井优斗 ,  大河内裕太

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 半导体装置具备两个第一半导体元件、第一导体、以及第一功率端子。上述两个的半导体元件分别具有第一电极、第二电极以及第三电极，且根据向上述第三电极输入的第一驱动信号来控制接通状态与断开状态的切换。上述第一导体以电方式介于上述两个第一半导体元件的上述第一电极之间。上述第一功率端子与上述第一导体电连接，且与上述两个第一半导体元件各自的上述第一电极导通。上述两个第一半导体元件电并联连接。在上述第一导体的厚度方向上观察时，上述第一导体配置为避开连结上述两个第一半导体元件的中心的第一线段的一部分。

公开(公告)号：CN116529869A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080590.1

申请日：2021-11-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 坂井优斗 ,  大河内裕太 ,  大塚拓一 ,  中原健

IPC: H01L23/12

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其具有主面；第一配线层，其配置于所述主面；第二配线层，其配置于所述主面且远离所述第一配线层；第一半导体元件，其具有彼此位于相反侧的第一主面电极和第一背面电极，并且所述第一背面电极与所述第一配线层接合；第二半导体元件，其具有彼此位于相反侧的第二主面电极和第二背面电极，并且所述第二背面电极与所述第二配线层接合；以及导电部件，其远离所述基板且与所述第一主面电极和所述第二主面电极接合。所述第一主面电极和所述第二主面电极的极性彼此不同。所述基板包含位于所述第一配线层和所述第二配线层之间的露出部，在该基板的厚度方向上观察，所述导电部件与所述露出部重叠。

公开(公告)号：CN118661257A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020449.1

申请日：2023-01-24

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 坂井优斗 ,  大河内裕太 ,  立石哲夫

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L25/18 ,  H02M7/5387

Abstract: 半导体装置包含：两个半导体元件，其分别根据输入到第三电极的驱动信号来控制开关动作。第一导体和第二导体电介于所述两个半导体元件的所述第三电极间。所述第一导体与信号端子电连接。所述两个半导体元件的所述第三电极彼此的导通包含：穿过所述第一导体的第一导通路径、穿过所述第二导体的第二导通路径。所述第二导通路径的电感值比所述第一导通路径的电感值小。所述第二导通路径的电阻值比所述第一导通路径的电阻值大。