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公开(公告)号:CN102602877B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201210098100.3
申请日:2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号:CN102602876A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201210097932.3
申请日:2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号:CN101891140A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010242902.8
申请日:2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件,该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30),该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26),在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13),当固定电极(20)被施加正的电压时,阱(13)是p型阱。另外,对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号:CN111508832A
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN202010077060.9
申请日:2020-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 稻叶正吾
IPC: H01L21/3065 , G01P15/125
Abstract: 一种构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备,其中,构造体形成方法通过干式蚀刻在基板形成第一孔和宽度比所述第一孔小的第二孔,从而形成构造体,所述构造体形成方法具备:在所述基板形成蚀刻掩模的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第一孔的第一孔形成区域重叠的部分的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第二孔的第二孔形成区域重叠的部分的工序、以及将所述蚀刻掩模作为掩模对所述基板进行干式蚀刻的工序。
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公开(公告)号:CN101164863B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200710162734.X
申请日:2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号:CN101177234B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200710169247.6
申请日:2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置及其制造方法。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化,来实现小型化的电子装置,并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体,由此降低制造成本。本发明的电子装置具有:基板(1);构成形成于该基板上的功能元件的功能结构体(3X);和对配置有该功能结构体的空洞部(S)进行划分的覆盖结构,所述电子装置的特征在于,所述覆盖结构包括以包围所述空洞部周围的方式形成于所述基板上的层间绝缘膜(4、6)和布线层(5、7)的层叠结构,所述覆盖结构中的从上方覆盖所述空洞部的上方覆盖部(7Y)由配置在所述功能结构体的上方的所述布线层的一部分构成。
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公开(公告)号:CN102602876B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201210097932.3
申请日:2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法,该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值,并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有:在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10);可动电极(20),其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置,而且由多晶硅构成;以及配线层叠部,其在可动电极(20)周围形成,并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成,该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19),固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物,形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号:CN103905009A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201310684125.6
申请日:2013-12-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2405 , H03H3/0072 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明提供振子、振荡器、电子设备、移动体和振子的制造方法。振动效率更高且抑制了振动泄漏。MEMS振子(100)具有:基板(1);固定部(23),其设置在基板(1)的主面上;支承部(25),其从固定部(23)延伸;振动体(上部电极(20)),支承部(25)使该振动体与基板(1)分离,并支承该振动体的振动的波节部,振动体是具有从振动的波节部辐射状地延伸出的2n个梁的2n重对称的旋转对称体,其中,n为自然数。
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公开(公告)号:CN103728058A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310473902.2
申请日:2013-10-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01L1/10 , G01L1/14 , G01P15/097 , G01P15/18 , H03H9/2457
Abstract: 本发明提供一种传感器、电子设备、机器人、及移动体,并提供一种能够对物体的变形进行检测的、组装了电路的小型的传感器。传感器具备具有挠性的晶片基板(1)、和设置于晶片基板(1)的主面上的振子(3),振子(3)通过被施加于晶片基板(1)上的外力而发生变形。
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公开(公告)号:CN102904543A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210253367.5
申请日:2012-07-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 稻叶正吾
CPC classification number: H03H9/2457 , B81B3/007 , B81B2201/014 , H03H3/0072 , H03H2009/02283 , H03H2009/02456 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明涉及MEMS振子以及振荡器。MEMS振子包括:基板;第1电极,其配置在上述基板的上方;第2电极,其以至少一部分与上述第1电极之间具有空隙的状态被配置,并具有梁部以及支承部,该梁部能够通过静电力沿上述基板的厚度方向振动,该支承部支承上述梁部的一端、并被配置在上述基板的上方,上述支承部的支承上述一端的支承侧面具有从上述基板的厚度方向俯视的状态下弯曲的弯曲部,上述一端被包括上述弯曲部的上述支承侧面支承。
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