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公开(公告)号：CN102602877B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210098100.3
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号：CN102602876A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210097932.3
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号：CN101891140A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010242902.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号：CN102602877A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210098100.3
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号：CN101168434B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710181944.3
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101917175A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010245785.0
申请日：2006-11-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2457 , H03H3/0072 , H03H9/02433 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明的课题是通过防止MEMS结构体部分的侧壁状的蚀刻残留物来提供可靠性高的MEMS振子及其制造方法。作为解决手段，本发明的MEMS振子包括：基板(10)；固定电极(12)，其形成于基板(10)上；以及可动电极(14)，其与固定电极(12)对置配置，通过作用于该可动电极(14)与固定电极(12)之间的缝隙(28)上的静电引力或静电斥力进行驱动，可动电极(14)在与固定电极(12)对置的可动电极(14)的支撑梁(24)的内侧面具有倾斜面(40)。
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公开(公告)号：CN101118819A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710140210.0
申请日：2007-08-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , H01C10/50 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明提供一种MEMS开关以及MEMS开关的制造方法。以往，当将MEMS开关应用于分压电路时，因为MEMS开关的电阻被抑制得较低，所以需要外附分压用的电阻。因此，MEMS开关周边的电路部件数增大。因而，存在芯片面积增加，芯片内部的温度分布的绝对值增大，各电阻间的温度产生分布，由于电阻具有的温度系数而使电阻值相对变动，从分压电路得到的电压值的精度降低的问题。为了解决上述问题，本发明对MEMS开关的可动部分使用了具有电阻的可动电阻体。由于开关自身具有电阻，因此可以省略与MEMS开关连接的分压用的电阻。因此，可以使芯片面积小型化，抑制芯片内部的温度分布的绝对值，并抑制因电阻具有的温度系数所导致的电阻值相对变动。
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公开(公告)号：CN1821050A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008237.X
申请日：2006-02-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明的课题是，提供一种在结构体松脱工序中对布线不造成损伤、耐湿性良好且可靠性得到提高的MEMS元件和MEMS元件的制造方法。作为解决手段，在半导体衬底(10)上形成由可动电极(15)和固定电极(16a、16b)构成的结构体(18)，且在结构体(18)的周边部经层间绝缘膜(20、22)层叠布线(21)的MEMS元件(1)中，在与结构体(18)对置的层间绝缘膜(20)、壁(24、25)和层间绝缘膜(22)的表面上形成氮化硅膜(30)。
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公开(公告)号：CN101164863B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710162734.X
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号：CN101177234B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710169247.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置及其制造方法。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板(1)；构成形成于该基板上的功能元件的功能结构体(3X)；和对配置有该功能结构体的空洞部(S)进行划分的覆盖结构，所述电子装置的特征在于，所述覆盖结构包括以包围所述空洞部周围的方式形成于所述基板上的层间绝缘膜(4、6)和布线层(5、7)的层叠结构，所述覆盖结构中的从上方覆盖所述空洞部的上方覆盖部(7Y)由配置在所述功能结构体的上方的所述布线层的一部分构成。
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