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公开(公告)号：CN118610232A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410819015.4
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。
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公开(公告)号：CN113224148B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110477496.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN106875325B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710077608.8
申请日：2017-02-14
IPC: G06T1/00
Abstract: 本发明涉及云计算安全技术领域，公开了一种可搜索图像加密算法。具体包括以下过程：图像拥有者执行的概率算法来建立系统输出公钥PK和私钥SK；图像拥有者提取图像的特征向量，根据特征向量建立索引；图像拥有者加密图像，并根据索引将加密后的相关图像信息发送至云服务器；用户向图像拥有者发送查询请求，得到授权的查询信息；云服务器根据索引分析查询信息，将满足查询信息的检索结果集发送给用户；用户向图像拥有者请求检索结果集的解密，图像拥有者将解密结果发送给用户。设计了图像加密算法以及针对该类密文的检索算法，实现将图像拥有者信息以密文的方式储存在云服务器上，增加了信息的隐私性；同时，用户能根据自身需求对搜索范围进行调整。
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公开(公告)号：CN106875325A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710077608.8
申请日：2017-02-14
IPC: G06T1/00
Abstract: 本发明涉及云计算安全技术领域，公开了一种可搜索图像加密算法。具体包括以下过程：图像拥有者执行的概率算法来建立系统输出公钥PK和私钥SK；图像拥有者提取图像的特征向量，根据特征向量建立索引；图像拥有者加密图像，并根据索引将加密后的相关图像信息发送至云服务器；用户向图像拥有者发送查询请求，得到授权的查询信息；云服务器根据索引分析查询信息，将满足查询信息的检索结果集发送给用户；用户向图像拥有者请求检索结果集的解密，图像拥有者将解密结果发送给用户。设计了图像加密算法以及针对该类密文的检索算法，实现将图像拥有者信息以密文的方式储存在云服务器上，增加了信息的隐私性；同时，用户能根据自身需求对搜索范围进行调整。
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公开(公告)号：CN102361031A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110318010.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米；高压器件底部、介质埋层表面上方的顶层硅中具有多个不连续的高浓度N+区(掺杂浓度不低于1e16cm-3)；高压器件之间采用介质隔离区隔离。器件还可集成低压MOS器件，高、低压器件之间采用介质隔离区隔离，不同的低压器件之间采用场氧化层隔离。本发明由于多个不连续高浓度N+区的引入，削弱了顶层硅电场同时增强了介质埋层电场，器件击穿电压大幅提高，可用在汽车电子、消费电子、绿色照明、工业控制、电源管理、显示驱动等众多领域的高压集成电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109919723A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910157645.9
申请日：2019-03-01
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 王琨 , 王灿 , 刘微 , 卫涛 , 胡有兵 , 金鑫 , 王潇翔 , 叶俊 , 冯佩 , 穆超 , 牛瑞丽 , 龙政强 , 李春雨 , 段金龙 , 卢济 , 孙艳东 , 田俞珍 , 王凯 , 郑建 , 周昱航 , 蔡九鸣 , 丁璇 , 刘贺 , 宋杰 , 王浩健 , 王经纬
Abstract: 本发明公开了一种基于用户和物品的个性化推荐方法。该方法包括：获取不同流行度的物品数据集和用户数据集；建立超参数平衡扩散模型；根据超参数平衡扩散模型，通过遍历所述超参数平衡扩散模型中的参数β和δ，获得基于用户和物品的个性化推荐列表。本发明提出利用超参数抑制质量扩散的过程，从而在不损害准确性的情况下，尽可能的提升多样性，通过遍历该参数以实现最佳的推荐结果，通过对流行的用户和物品同时进行调整来抑制人群和物品之间的过度扩散；并且通过两个真实的数据集对算法进行评估，证明了本发明的方法在准确性、多样性和新颖性上都优于其他算法，即本发明的模型可以带来很好的性能提升。
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公开(公告)号：CN101771084A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010028145.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
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公开(公告)号：CN118610231A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410817650.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。
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公开(公告)号：CN102361031B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110318010.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米；高压器件底部、介质埋层表面上方的顶层硅中具有多个不连续的高浓度N+区(掺杂浓度不低于1e16cm-3)；高压器件之间采用介质隔离区隔离。器件还可集成低压MOS器件，高、低压器件之间采用介质隔离区隔离，不同的低压器件之间采用场氧化层隔离。本发明由于多个不连续高浓度N+区的引入，削弱了顶层硅电场同时增强了介质埋层电场，器件击穿电压大幅提高，可用在汽车电子、消费电子、绿色照明、工业控制、电源管理、显示驱动等众多领域的高压集成电路中。
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公开(公告)号：CN110210681B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910502056.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及PM2.5预测技术领域，公开了一种基于距离的监测站点PM2.5值的预测方法，包括以下步骤：根据待预测PM2.5监测站点与周围其它PM2.5监测站点之间的距离，计算待预测PM2.5监测站点的PM2.5值与周围其它PM2.5监测站点的PM2.5值之间的权重；根据待预测PM2.5监测站点过去一段时间PM2.5的值，以及周围其它PM2.5监测站点过去一段时间及当前时刻的PM2.5值，以及待预测PM2.5监测站点的PM2.5值与周围其它PM2.5监测站点的PM2.5值之间的权重，通过线性回归模型或支持向量机模型对待预测PM2.5监测站点当前时刻的PM2.5值进行预测，这种PM2.5值的预测方法，大大提升了PM2.5值预测的准确率。
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