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公开(公告)号：CN101771039A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010028146.9
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/8249
Abstract: 一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间，使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一个额外的表面导电沟道，使得导电通道增加，降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN101771084A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010028145.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
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公开(公告)号：CN101452933A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810148118.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 深圳市联德合微电子有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN102024847B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010289530.4
申请日：2010-09-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/417
Abstract: 一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属电极两侧；第二金属电极为矩形框状结构，将第一金属电极和2N个器件元胞包围在框内；第二金属电极具有Y个金属引出端；其中X≥1，Y≥2。本发明通过改变金属电极的形状和引出方式，缩短两个金属电极之间电流在金属连线上的流通路径，减小金属连线引入的电阻，从而达到进一步减小高压功率器件的导通电阻和减小芯片损耗的目的；且器件的版图布局方式很容易实现，不会增加额外的步骤与成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101771084B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010028145.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
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公开(公告)号：CN101771039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010028146.9
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/8249
Abstract: 一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间，使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一个额外的表面导电沟道，使得导电通道增加，降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN102024847A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010289530.4
申请日：2010-09-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/417
Abstract: 一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属电极两侧；第二金属电极为矩形框状结构，将第一金属电极和2N个器件元胞包围在框内；第二金属电极具有Y个金属引出端；其中X≥1，Y≥2。本发明通过改变金属电极的形状和引出方式，缩短两个金属电极之间电流在金属连线上的流通路径，减小金属连线引入的电阻，从而达到进一步减小高压功率器件的导通电阻和减小芯片损耗的目的；且器件的版图布局方式很容易实现，不会增加额外的步骤与成本。
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公开(公告)号：CN101771085A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010028147.3
申请日：2010-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种高压半导体器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有的具有降场层结构的横向高压DMOS器件结构基础上，在场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间增加了一层第二导电类型半导体外延层(5)，同时在第一导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体衬底(1)之间增加了一层第一导电类型半导体埋层体区(4)。本发明通过外延工艺增加第二导电类型半导体外延层(5)、为器件提供了一个额外的表面导电通道，与常规具有降场层的高压半导体器件相比，本发明提供的高压半导体器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻(或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积)。本发明可用于消费电子、显示驱动等产品中。
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公开(公告)号：CN100578790C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810148118.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 深圳市联德合微电子有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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