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公开(公告)号：CN119992364A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510116995.6
申请日：2025-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V20/13 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06T7/30 , G06T5/50 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种基于笛卡尔积的多源遥感信息融合目标检测识别方法，包括：获取不同传感器对同一区域观测得到的多个模态的遥感图像；对遥感图像进行图像配准，得到多个遥感配准图像；将多个遥感配准图像输入预训练遥感融合信息检测模型，得到目标检测识别结果；预训练遥感融合信息检测模型基于笛卡尔积处理与通道注意力的多源信息融合方法构建得到；笛卡尔积处理用于执行不同模态特征之间的多源融合处理，通道注意力的多源信息融合方法用于执行多个不同处理阶段、同一模态特征之间的加权融合处理。在本发明中，通过采用笛卡尔积与通道注意力的多源信息融合方法，总体提高了目标识别的精确性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN119173118A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411314332.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太阳能电池材料与技术领域，具体公开了一种电子传输层、钙钛矿太阳能电池、钙钛矿/硅叠层电池及其制备方法。一种电子传输层的制备方法，所述电子传输层用于钙钛矿太阳能电池和钙钛矿/硅叠层电池，通过热蒸发富勒烯C60制备电子传输层。由于采用热蒸发C60工艺，提高其稳定性，同时解决了叠层电池中电子传输层均匀覆盖的问题，有利于大面积生产。
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公开(公告)号：CN111725593B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010724596.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于三缺陷模耦合的波导型可调谐太赫兹带通滤波器，其包括低损耗金属构成的起伏管壁周期波导结构和缺陷结构，所述起伏管壁周期波导结构在太赫兹频段具有布拉格禁带，起伏管壁周期波导结构依据色散曲线计算确定。本发明按照一定方式在起伏周期结构波导中引入三个缺陷结构，使三个缺陷模相互耦合以达到拓宽透射谱的目的，实现具有一定带宽的带通滤波效果；本发明提供了一种结构紧凑、低损耗、大范围可调谐的宽带太赫兹波导带通滤波器。
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公开(公告)号：CN118713660A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410928144.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种可编程分频器及在电荷泵锁相环的应用，输入时钟信号同时输入双模预分频器和数据选择器，双模预分频器的输出输入到数据选择器；数据选择器输出端信号输入6位加法计数器，6位加法计数器的输出值同时输入6‑bit周期结束检测模块、2‑bit周期结束检测模块和DRAD模块，6‑bit周期结束检测模块输出LOAD信号到6‑bit加法计数器和PMCL模块，并输出分频后的时钟信号；2‑bit周期结束检测模块输出EOC2bOUT信号到PMCL模块，DRAD模块输出SEL信号到数据选择器的控制端和EOCCL模块，同时输出RESET信号到6‑bit加法计数器的复位端。可编程分频器用于电荷泵锁相环。本发明采用双模分频器的基本架构，拓展双模分频器分频范围，通过分频比自动判断电路和计数器复用，实现了高速宽分频比的双模可编程分频器。
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公开(公告)号：CN117293204A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311404499.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明导电氧化物薄膜。该透明导电氧化物薄膜主要应用在电池的透明电极上，和常用的In2O3:Sn(ITO)相比，In2O3:WO3(IWO)具有更高的载流子迁移率和功函数，以及更低的电阻率。同时，采用反应等离子体沉积(RPD)制备IWO薄膜，较低的离子能量对衬底损伤降低，进一步提升电池效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117039593A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311052556.0
申请日：2023-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/08031
Abstract: 本发明公开了一种基于七芯光纤干涉的单、双和三波长可切换的光纤激光器。该激光器主要由泵浦光源、波分复用器、有源光纤、偏振控制器、单模‑七芯‑单模光纤、光纤耦合器、光隔离器以及光纤接头组成。其采用环形腔结构设计，利用有源光纤提供激光增益。采用单模‑七芯‑单模光纤结构实现激光干涉效应。在结构简单的激光器中，通过调节偏振控制器，激光输出可以实现单波长、双波长和三波长可切换，且具有较高的光信噪比。本发明的激光器具有结构简单、可靠性高、造价成本低、阈值功率低、稳定性高和全光纤化、波长可切换等优势。
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公开(公告)号：CN116738379A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310772600.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用的深度学习模型版权主动保护方法，具体为：步骤1：准备需要保护的源模型#imgabs0#训练数据集#imgabs1#测试数据集#imgabs2#加密模块与解密模块；步骤2：结合解密模块并基于梯度信息优化和跨数据样本迭代设计扰动v，并将经过多次优化得到的扰动v作为秘密图像vsecret；步骤3：将步骤2获得的秘密图像vsecret注入加密模块与解密模块，耦合解密模块和需要保护的源模型，利用加解密模块实现在不影响授权用户推理性能的前提下降低非授权用户的推理性能。该方法不影响授权用户推理性能的前提下显著降低非授权用户的推理性能实现主动的模型版权保护，从根源上杜绝侵权行为的发生。还公开了一种即插即用的深度学习模型版权主动保护装置。
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公开(公告)号：CN116722862A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310660106.3
申请日：2023-06-05
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H03K19/20 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种NOT/NOR/NAND逻辑门可重构电路、存算一体芯片及设备，包括n沟道可移动离子晶体管和上拉电阻R1；所述上拉电阻R1与n沟道可移动离子晶体管串联且n沟道可移动离子晶体管栅极独立设置；所述n沟道可移动离子晶体管的阈值电压为Vt，代表输入A1；所述n沟道可移动离子晶体管的栅极电压为Vin，代表输入A2；A1和A2为串行输入；上拉电阻R1一端连接可移动离子晶体管的漏极，且漏极电压作为输出Vout，上拉电阻R1的另一端接电源电压Vdd，所述n沟道可移动离子晶体管的源极为端口S，所述n沟道可移动离子晶体管的衬底为端口B；本发明可实现低功耗和高带宽信号传输，具有低制造成本，小电路面积和高带宽互连的优势。
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公开(公告)号：CN116582765A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310648032.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04N25/772 , H03M1/12
Abstract: 一种用于CIS的时分复用模数转换模块化电路，包括完成奇数列、偶数列模数转换的第一、第二通道电路，第一通道电路和第二通道电路之间通过第一、第二级共享运算放大器连接，第一级、第二级共享运算放大器用于两相邻通道相互间隔积分时接入第一通道电路或第二通道电路；第一通道电路包括相互连接的第一级积分电路模块和第二级积分电路模块；第一级共享运算放大器包括和第一级积分电路模块连接的第一组开关电路模块，第二级共享运算放大器包括和第二级积分电路模块连接的第二组开关电路模块；本发明减轻了OTA的布局要求，使得在先进的CMOS技术节点上实现了高分辨率的低功耗图像传感器，同时也大大减少了芯片面积。
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公开(公告)号：CN115802768A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211563297.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。
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