-
公开(公告)号：CN119173118A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411314332.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太阳能电池材料与技术领域，具体公开了一种电子传输层、钙钛矿太阳能电池、钙钛矿/硅叠层电池及其制备方法。一种电子传输层的制备方法，所述电子传输层用于钙钛矿太阳能电池和钙钛矿/硅叠层电池，通过热蒸发富勒烯C60制备电子传输层。由于采用热蒸发C60工艺，提高其稳定性，同时解决了叠层电池中电子传输层均匀覆盖的问题，有利于大面积生产。
-
公开(公告)号：CN117293204A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311404499.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明导电氧化物薄膜。该透明导电氧化物薄膜主要应用在电池的透明电极上，和常用的In2O3:Sn(ITO)相比，In2O3:WO3(IWO)具有更高的载流子迁移率和功函数，以及更低的电阻率。同时，采用反应等离子体沉积(RPD)制备IWO薄膜，较低的离子能量对衬底损伤降低，进一步提升电池效率。
-
公开(公告)号：CN115802768A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211563297.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。
-
公开(公告)号：CN115768142A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211504938.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有不同光响应增强特性的神经形态器件及其制备方法，神经形态器件由源漏电极、载流子注入层、有机半导体层、空穴捕获层、栅绝缘层、栅极构成。制备方法包括：将硅片Si/二氧化硅SiO2作为器件的栅极与栅绝缘层，进行超声清洗处理并放入干燥箱中烘干；将步骤一处理好的硅片放入真空镀膜系统，真空腔内气压抽至低于5×10‑4pa之后，开始依次蒸镀50nm的alq3、30nm的Pentacene、10nm的MoO3和50nm的铜或金电极。镀膜结束后，使用半导体参数分析仪进行电学测试和光响应测试。本发明制备的神经形态器件具有常开特性，在低栅压区即有很高的输出电流，且具有优异的光分辨能力，尤其是对于红光和蓝光的区分。
-
公开(公告)号：CN119095451A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411400195.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，具体公开了一种基于自组装单分子层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。通过旋涂自组装单分子层获得反式钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，同时通过热蒸发‑溶液法制备钙钛矿吸收层，进一步优化器件性能。解决了空穴传输层材料的不稳定以及在空穴传输层上钙钛矿薄膜的均匀成膜问题，同时简化制备工艺，降低器件制造成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117460379A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311400540.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明电极及其制备方法、钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池。一种透明电极的制备方法，透明电极用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池，透明电极的制备方法包括如下步骤：首先采用反应等离子体沉积(RPD)制备透明导电氧化物薄膜，其次通过退火处理获得高质量透明电极。上述用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的透明电极的制备方法，由于采用离子能量较低的RPD工艺，减少了对钙钛矿层的损伤，所以在制备叠层电池时可免去制备钙钛矿保护层的工艺流程，降低制备成本，有利于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的商业化推广。
-
公开(公告)号：CN116322084A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211556969.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。
-
公开(公告)号：CN115915773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211534933.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于有机半导体领域，公开了一种电导可调的电双层效应神经形态器件及其制备方法，电导可调的电双层效应神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，并五苯层，栅极，源极、漏极；所述电解质层，形成于所述衬底正上方；所述有机半导体层，以间隔的形式形成于所述电解质层的正上方；所述栅极，源极和漏极，以共面的形式分别形成于隔开的有机半导体层的正上方，其中所述源极和所述漏极中间留有沟道。本发明利用有机酸混掺在壳聚糖中，借助有机酸使壳聚糖质子化的作用以及电解质层在栅压作用下形成的电双层效应，能够灵活调控器件电导，且电学性能稳定，有望在类脑芯片得到广泛的应用。
-
公开(公告)号：CN116156978A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211570374.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H10K71/16 , H10K71/40 , H10K30/50 , H10K30/10 , H10K71/12 , H01L31/0236 , H01L31/074 , H01L31/18 , H10K39/15
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种基于单源蒸镀制备钙钛矿吸收层的方法及全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备。首先通过热蒸发将钙钛矿前驱体材料沉积到全绒面晶硅电池衬底上，接着通过旋涂法或浸泡法，将MAI/FAI的异丙醇溶液覆盖到上述样品表面，最后通过退火形成均匀稳定、保形的钙钛矿吸收层。本发明采用的单源蒸镀法可将钙钛矿薄膜均匀覆盖在绒面衬底上，制备工艺简单可控。同时，该方法与晶硅异质结电池产线兼容，便于全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备与推广。
-
公开(公告)号：CN115768134A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211503346.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法。本发明打破传统神经形态器件的光淬灭方法，引入电解质层，可以大幅提高器件的光稳定性，有利于器件在强光下避免干扰而保持正常的工作状态。适用性强，由于本发明利用了电解质层的激子淬灭作用，所以对于绝大多数有机半导体层产生的光生激子都能起到相同的作用。工艺简单，与现有的神经形态器件制备工艺相匹配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.063 seconds)
