一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117615627A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311405030.6

    申请日:2023-10-27

    Inventor: 刘欢 熊雯靖 白赛

    Abstract: 本发明涉及太阳电池领域,具体公开了一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:首先在衬底上通过热蒸发工艺形成钙钛矿前驱体材料薄膜,其次将MABr/FAI的混合溶液覆盖到钙钛矿前驱体材料薄膜上,最后将样品进行分步退火,最终获得宽带隙钙钛矿薄膜。本发明采用的热蒸发/溶液法制备的钙钛矿薄膜结晶尺寸大、表面平整光滑、薄膜均匀性好。与现有技术比较,该制备工艺简单可控,对衬底平整度要求低。

    一种基于场效应钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN120035305A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510172286.X

    申请日:2025-02-17

    Abstract: 本发明属于太阳能电池领域,具体公开了一种基于场效应钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该结构包括透明导电玻璃、空穴传输层、有机分子钝化层、场效应钝化层、钙钛矿吸收层、电子传输层和金属电极。所述的场效应钝化层制备方法为将Al2O3纳米颗粒于溶剂中分散,通过旋涂退火的方法获得Al2O3薄膜。在有机分子钝化的基础上,在空穴传输层/钙钛矿界面处引入Al2O3界面钝化层,通过场效应钝化提升电池性能。该钝化方法适用于所有类型的钙钛矿单结电池以及钙钛矿叠层电池,并且成本低、操作简单,有望得到商业化推广。

    一种透明导电氧化物薄膜
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117293204A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311404499.8

    申请日:2023-10-27

    Inventor: 刘欢 熊雯靖 白赛

    Abstract: 本发明涉及太阳电池领域,具体公开了一种透明导电氧化物薄膜。该透明导电氧化物薄膜主要应用在电池的透明电极上,和常用的In2O3:Sn(ITO)相比,In2O3:WO3(IWO)具有更高的载流子迁移率和功函数,以及更低的电阻率。同时,采用反应等离子体沉积(RPD)制备IWO薄膜,较低的离子能量对衬底损伤降低,进一步提升电池效率。

Patent Agency Ranking