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公开(公告)号：CN115768134A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211503346.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法。本发明打破传统神经形态器件的光淬灭方法，引入电解质层，可以大幅提高器件的光稳定性，有利于器件在强光下避免干扰而保持正常的工作状态。适用性强，由于本发明利用了电解质层的激子淬灭作用，所以对于绝大多数有机半导体层产生的光生激子都能起到相同的作用。工艺简单，与现有的神经形态器件制备工艺相匹配。
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公开(公告)号：CN115988885A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211556308.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方。本发明的神经形态器件通过添加铁电极化层和电荷捕获层，使得器件同时具备铁电极化效应及电荷捕获效应，且电学性能稳定，制备成本低，因此，这种同时具有铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件有望在集成多功能器件方面得到推广应用。
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公开(公告)号：CN115768135A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211506888.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于电荷捕获材料的电解质栅控神经形态器件及其制备方法，所述神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。本发明通过电学性质测试，可判定器件存在电荷捕获效应和电双层效应两种电荷机理。而且，器件采用水平栅+底栅的双栅极结构，可以通过改变连接栅极，来调控两种电荷机理的主导作用。
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公开(公告)号：CN116033759A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211563296.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115802768A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211563297.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115768142A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211504938.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有不同光响应增强特性的神经形态器件及其制备方法，神经形态器件由源漏电极、载流子注入层、有机半导体层、空穴捕获层、栅绝缘层、栅极构成。制备方法包括：将硅片Si/二氧化硅SiO2作为器件的栅极与栅绝缘层，进行超声清洗处理并放入干燥箱中烘干；将步骤一处理好的硅片放入真空镀膜系统，真空腔内气压抽至低于5×10‑4pa之后，开始依次蒸镀50nm的alq3、30nm的Pentacene、10nm的MoO3和50nm的铜或金电极。镀膜结束后，使用半导体参数分析仪进行电学测试和光响应测试。本发明制备的神经形态器件具有常开特性，在低栅压区即有很高的输出电流，且具有优异的光分辨能力，尤其是对于红光和蓝光的区分。
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公开(公告)号：CN117460379A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311400540.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明电极及其制备方法、钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池。一种透明电极的制备方法，透明电极用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池，透明电极的制备方法包括如下步骤：首先采用反应等离子体沉积(RPD)制备透明导电氧化物薄膜，其次通过退火处理获得高质量透明电极。上述用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的透明电极的制备方法，由于采用离子能量较低的RPD工艺，减少了对钙钛矿层的损伤，所以在制备叠层电池时可免去制备钙钛矿保护层的工艺流程，降低制备成本，有利于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的商业化推广。
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公开(公告)号：CN116322084A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211556969.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。
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公开(公告)号：CN115915773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211534933.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于有机半导体领域，公开了一种电导可调的电双层效应神经形态器件及其制备方法，电导可调的电双层效应神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，并五苯层，栅极，源极、漏极；所述电解质层，形成于所述衬底正上方；所述有机半导体层，以间隔的形式形成于所述电解质层的正上方；所述栅极，源极和漏极，以共面的形式分别形成于隔开的有机半导体层的正上方，其中所述源极和所述漏极中间留有沟道。本发明利用有机酸混掺在壳聚糖中，借助有机酸使壳聚糖质子化的作用以及电解质层在栅压作用下形成的电双层效应，能够灵活调控器件电导，且电学性能稳定，有望在类脑芯片得到广泛的应用。
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