公开(公告)号：CN117406000A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311388777.5

申请日：2023-10-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨卫涛 ,  江鹏 ,  蔺孝堃 ,  马豪 ,  杨猛 ,  孔龙 ,  王斌 ,  吴龙胜 ,  刘欢 ,  时光

IPC: G01R31/00

Abstract: 一种模数转换电路电磁干扰、总剂量辐照和单粒子效应协同影响的测量方法，先单独对待测模数转换电路做重离子微束辐照，记录待测模数转换电路的敏感点1；然后对待测模数转换电路进行总剂量辐照并退火，然后做重离子微束辐照；在做重离子微束辐照的同时，从电源和地注入电磁干扰信号，在重离子微束结束后，记录待测模数转换电路的敏感点2；最后对比待测模数转换电路的敏感点1和敏感点2，得出电磁干扰和总剂量辐照影响的待测模数转换电路单粒子效应的规律；本发明融合电磁干扰测试、总剂量辐照测试以及重离子微束辐照测试，易于实施。

公开(公告)号：CN117031226A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310636957.4

申请日：2023-05-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨卫涛 ,  马豪 ,  蔺孝堃 ,  李宁 ,  郭优美 ,  杨猛 ,  孔龙 ,  江鹏 ,  贺朝会 ,  王斌 ,  吴龙胜 ,  刘欢 ,  时光

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种电源管理芯片抗电磁干扰与单粒子效应的测量方法，包括：确定待测电源管理芯片的测试节点；对待测电源管理芯片的每个测试节点依次施加不同频率的电磁干扰信号，进行电磁干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁干扰测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试，记录待测电源管理芯片的辐照测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试的同时，对待测电源管理芯片的测试节点施加电磁干扰信号，进行电磁辐照干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁辐照测试结果；根据电磁干扰测试结果、辐照测试结果以及电磁辐照测试结果，确定待测电源管理芯片的敏感性。本发明方法能够实现对电源管理芯片以及电路的抗辐射能力的测量。

公开(公告)号：CN116582765A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310648032.1

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王斌 ,  杨卫涛 ,  江鹏 ,  蔺孝堃 ,  马豪 ,  杨猛 ,  孔龙 ,  吴龙胜 ,  刘欢 ,  时光

IPC: H04N25/772 ,  H03M1/12

Abstract: 一种用于CIS的时分复用模数转换模块化电路，包括完成奇数列、偶数列模数转换的第一、第二通道电路，第一通道电路和第二通道电路之间通过第一、第二级共享运算放大器连接，第一级、第二级共享运算放大器用于两相邻通道相互间隔积分时接入第一通道电路或第二通道电路；第一通道电路包括相互连接的第一级积分电路模块和第二级积分电路模块；第一级共享运算放大器包括和第一级积分电路模块连接的第一组开关电路模块，第二级共享运算放大器包括和第二级积分电路模块连接的第二组开关电路模块；本发明减轻了OTA的布局要求，使得在先进的CMOS技术节点上实现了高分辨率的低功耗图像传感器，同时也大大减少了芯片面积。

公开(公告)号：CN117220681A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311273923.X

申请日：2023-09-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 孔龙 ,  杨卫涛 ,  蔺孝堃 ,  杨猛 ,  马豪 ,  江鹏 ,  吴龙胜 ,  王斌 ,  时光 ,  刘欢

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/60 ,  H03M1/38

Abstract: 一种基于TDC的数字相关双采样单斜式ADC装置及模数转换方法，包括比较器、TDC模块、双向计数器、外围控制逻辑，利用比较器比较VREF参考电压信号和VSIG输入信号，通过双向12bits计数器完成高12bits的粗量化，利用TDC模块记录和处理最低2bits的细量化结果的CDS，利用外围控制逻辑单元控制各个模块完成整体的量化功能，由于粗量化和细量化是同步进行的，因此整体而言，相当于12bits的量化时间内完成了14bits的数据量化，从而提升了速度，同时采用双向计数器和相应的逻辑单元相配合在不消耗额外存储和数字处理单元的前提下实现了数字相关双采样，从而有效提升单斜式ADC的转换速度，进而提升了CMOS图像传感器读出电路的处理速度，满足了CMOS图像传感器大面阵、高帧率的应用需求。

公开(公告)号：CN117155306A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311350150.0

申请日：2023-10-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨卫涛 ,  王斌 ,  杨猛 ,  蔺孝堃 ,  江鹏 ,  马豪 ,  孔龙 ,  刘欢 ,  时光 ,  吴龙胜

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/16 ,  H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 一种应用于LVDS接收端的抗辐射预放大级电路及其抗辐射方法，包括第一预放大器Pre_amp1作为主预放大器，第二预放大器Pre_amp2作为辅助判断预放大器，二者输入端分别相连，输出端分别连接到第一比较器Cmp1、第二比较器Cmp2的输入端，共模电平端口分别连接到第三比较器输入端；通过第三比较器Cmp3比较第一预放大器Pre_amp1、第二预放大器Pre_amp2的输出共模电平完成单粒子入射时电流源I1的开启，通过第一比较器Cmp1、第二比较器Cmp2比较第一预放大器Pre_amp1、第二预放大器Pre_amp2的输出节点电平，完成第一开关S1及第一开关S2的选通，实现电流补偿路径的选择；本发明可提升预放大级电路的抗辐射性能，具有易于实现，设计成本低的优点。

公开(公告)号：CN116382408A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310582986.7

申请日：2023-05-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王斌 ,  杨卫涛 ,  马豪 ,  蔺孝堃 ,  杨猛 ,  江鹏 ,  孔龙 ,  吴龙胜 ,  时光 ,  刘欢

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种纯MOS管的低噪声带隙电路，包含一个非交叠时钟电路、一个输出的滤波电路以及带隙电路；通过非交叠时钟电路产生两组非交叠时钟信号，控制带隙电路中的十二个开关管，通过对开关管的调制，实现在一个时钟周期内，带隙电路的带隙电流产生于左右两个支路，电路更加对称，同时将电源噪声搬移至高频域中，并在输出端经过滤波器进行滤除；本发明通过在带隙电路中加入由非交叠时钟控制的开关来对噪声进行调制，同时通过开关对带隙电流的产生回路进行控制；将传统的PNP管替换为DTMOS，在简洁结构的基础优势上，大大降低了输出噪声，同时提高基准电流的精准度；可以将电路应用在更多的环境下。