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公开(公告)号：CN118473394A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410548969.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/04
Abstract: 一种Levelshift电路及其应用，其中，电路包括Buffer模块，Levelshift模块，信号边沿对齐模块；Buffer模块将接收到的高速数据信号以及使能信号经过处理后，输入到Levelshift模块中，Levelshift模块将接收到的高速数据信号经电平移位后输入到信号边沿对齐模块，信号边沿对齐模块将接收到的经电平移位后的高速数据信号经过边沿对齐后直接输出，实现高速数据不失真的传输以及将低压数字单端信号转化为电压域较高的模拟差分输出信号，同时通过使能信号的控制实现在不传输有效信号的情况下控制第电路进入低功耗模式，从而减小电路的整体功耗；用于LVDS驱动器中具有使能控制的高速信号电平移位电路；本发明具有低功耗，对高速数据实现电平移位，防止电压过冲、提高信号传输时有效占空比的效果。
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公开(公告)号：CN118746822A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410700009.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/4861 , G01S7/4865 , G01S17/894
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达多回波自适应双模采集电路及检测系统，该电路包括：光电检测模块，用于将接收到的光信号转换为电流信号；跨阻放大器模块，用于将电流信号转换为电压脉冲信号；共模电平位移模块，用于隔离电压脉冲信号中的直流电平信号，得到叠加共模电平的回波信号；时间检测模块，用于处理回波信号以获得激光发出至接收到回波所需的时间；强度检测模块，用于采集回波信号的峰值电平，以获得回波强度；其中，时间检测模块和强度检测模块均包括多个通道，在工作时自适应的开启每一个通道，以实现不同回波的信息采集。该电路可以自适应的采集多个回波信号的时间和强度信息，很大程度上提升了探测精确度，具有较高的集成度且功耗较低。
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公开(公告)号：CN117406000A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311388777.5
申请日：2023-10-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种模数转换电路电磁干扰、总剂量辐照和单粒子效应协同影响的测量方法，先单独对待测模数转换电路做重离子微束辐照，记录待测模数转换电路的敏感点1；然后对待测模数转换电路进行总剂量辐照并退火，然后做重离子微束辐照；在做重离子微束辐照的同时，从电源和地注入电磁干扰信号，在重离子微束结束后，记录待测模数转换电路的敏感点2；最后对比待测模数转换电路的敏感点1和敏感点2，得出电磁干扰和总剂量辐照影响的待测模数转换电路单粒子效应的规律；本发明融合电磁干扰测试、总剂量辐照测试以及重离子微束辐照测试，易于实施。
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公开(公告)号：CN117031226A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310636957.4
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种电源管理芯片抗电磁干扰与单粒子效应的测量方法，包括：确定待测电源管理芯片的测试节点；对待测电源管理芯片的每个测试节点依次施加不同频率的电磁干扰信号，进行电磁干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁干扰测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试，记录待测电源管理芯片的辐照测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试的同时，对待测电源管理芯片的测试节点施加电磁干扰信号，进行电磁辐照干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁辐照测试结果；根据电磁干扰测试结果、辐照测试结果以及电磁辐照测试结果，确定待测电源管理芯片的敏感性。本发明方法能够实现对电源管理芯片以及电路的抗辐射能力的测量。
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公开(公告)号：CN115271054A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210682442.3
申请日：2022-06-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种神经网络的设计方法以及相关装置，神经网络的设计方法包括：从初始神经网络的比特流文件中获取必要位数据，得到必要位数据集合；所述必要位数据为影响所述初始神经网络性能的配置存储器数据；将所述必要位数据集合中每一所述必要位数据进行翻转，得到更新必要位数据，并基于所述更新必要位数据得到更新比特流文件；基于所述更新比特流文件得到最终神经网络。该方法设计的神经网络的准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119717990A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411939408.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种可修调的高阶补偿带隙基准电路，包括PNP型三极管Q0～Q2，PMOS管M1～M3，NMOS管M4，电阻R0～R3，可修调电阻RT(1)、四输入运算放大器A1和两输入运算放大器A2；本发明提供的电路所产生的基准电压在传统的一阶温度补偿的基础上利用四输入运算放大器A1完成高阶补偿，同时添加了修调电阻电路，保证带隙基准电压不受温度和工艺变化的影响，从而得到了高精度的带隙基准电压；具有带隙基准的精度高、补偿算法简单、补偿稳定性好的优点。
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公开(公告)号：CN118536443A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410746760.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/337 , G06F9/445 , G06F9/48 , G06F8/41
Abstract: 基于随机化关键位和多算法调度的非定量计算方法，包括以下步骤；S1：提取需要优化的非定量计算的参数和数据，储存为第一数据二进制比特流文件；S2：对文件进行寻找关键位处理；得到第二数据二进制比特流文件；S3：对随机关键位后的第二数据二进制比特流文件进行评价；S4：对比特流文件的各项指标分别进行排序，得到数据加载表；S5：根据加载表内容加载适用当前部署场景和运行状态文件的计算权重和计算数据到加载模块；S6：在运行过程中，对加载模块中的多个非定量算法的第二数据二进制比特流文件进行任务分配；S7：储存优化模块输出的比特流文件、加载表、以及任务分配和权重参数表。本发明能够有效提升非定量计算的速度、准确性、适用性。
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公开(公告)号：CN117220681A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311273923.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于TDC的数字相关双采样单斜式ADC装置及模数转换方法，包括比较器、TDC模块、双向计数器、外围控制逻辑，利用比较器比较VREF参考电压信号和VSIG输入信号，通过双向12bits计数器完成高12bits的粗量化，利用TDC模块记录和处理最低2bits的细量化结果的CDS，利用外围控制逻辑单元控制各个模块完成整体的量化功能，由于粗量化和细量化是同步进行的，因此整体而言，相当于12bits的量化时间内完成了14bits的数据量化，从而提升了速度，同时采用双向计数器和相应的逻辑单元相配合在不消耗额外存储和数字处理单元的前提下实现了数字相关双采样，从而有效提升单斜式ADC的转换速度，进而提升了CMOS图像传感器读出电路的处理速度，满足了CMOS图像传感器大面阵、高帧率的应用需求。
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公开(公告)号：CN117155306A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311350150.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F1/30 , H03F3/16 , H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 一种应用于LVDS接收端的抗辐射预放大级电路及其抗辐射方法，包括第一预放大器Pre_amp1作为主预放大器，第二预放大器Pre_amp2作为辅助判断预放大器，二者输入端分别相连，输出端分别连接到第一比较器Cmp1、第二比较器Cmp2的输入端，共模电平端口分别连接到第三比较器输入端；通过第三比较器Cmp3比较第一预放大器Pre_amp1、第二预放大器Pre_amp2的输出共模电平完成单粒子入射时电流源I1的开启，通过第一比较器Cmp1、第二比较器Cmp2比较第一预放大器Pre_amp1、第二预放大器Pre_amp2的输出节点电平，完成第一开关S1及第一开关S2的选通，实现电流补偿路径的选择；本发明可提升预放大级电路的抗辐射性能，具有易于实现，设计成本低的优点。
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公开(公告)号：CN116382408A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310582986.7
申请日：2023-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种纯MOS管的低噪声带隙电路，包含一个非交叠时钟电路、一个输出的滤波电路以及带隙电路；通过非交叠时钟电路产生两组非交叠时钟信号，控制带隙电路中的十二个开关管，通过对开关管的调制，实现在一个时钟周期内，带隙电路的带隙电流产生于左右两个支路，电路更加对称，同时将电源噪声搬移至高频域中，并在输出端经过滤波器进行滤除；本发明通过在带隙电路中加入由非交叠时钟控制的开关来对噪声进行调制，同时通过开关对带隙电流的产生回路进行控制；将传统的PNP管替换为DTMOS，在简洁结构的基础优势上，大大降低了输出噪声，同时提高基准电流的精准度；可以将电路应用在更多的环境下。
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