公开(公告)号：CN101847437B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010113034.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件的操作方法，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。通过对所述第二栅极施加电压，将电子和空穴从所述第二沟道区域注入到所述电荷积蓄膜，从而进行写入；所述写入具有对于所述第二栅极一边改变电压一边进行电压施加的步骤。

公开(公告)号：CN101847437A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010113034.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件的操作方法，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。通过对所述第二栅极施加电压，将电子和空穴从所述第二沟道区域注入到所述电荷积蓄膜，从而进行写入；所述写入具有对于所述第二栅极一边改变电压一边进行电压施加的步骤。

公开(公告)号：CN101604691B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910147423.5

申请日：2009-06-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森田祐介 ,  土屋龙太 ,  石垣隆士 ,  杉井信之 ,  木村绅一郎

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864

Abstract: 本发明的目的在于提高具有MIS晶体管的半导体器件的性能。本发明的半导体器件包括：在硅衬底1的主面上沉积半导体层形成的一对源·漏极区域sdn、sdp；覆盖其侧壁的侧壁绝缘膜IS；在平面上被侧壁绝缘膜IS夹着的位置的硅衬底1的主面上，隔着栅极绝缘膜IG配置的栅电极GE；在从栅电极GE的侧方下部开始一直到源·漏极区域sdn、sdp的侧方下部形成的扩散区域exn、exp，其中，源·漏极区域sdn、sdp的侧壁具有正锥状的倾斜，侧壁绝缘膜IS的侧壁中与栅极绝缘膜IG和栅电极GE相邻一方的侧壁具有正锥状的倾斜。

公开(公告)号：CN1728401B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200510086030.X

申请日：2005-07-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎 ,  石丸哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。

公开(公告)号：CN101533803B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910008039.7

申请日：2009-02-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 木村绅一郎 ,  岛本泰洋 ,  久本大

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置的制造方法及非易失性半导体存储装置。在同一硅衬底1上包括具有控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)的分裂栅型存储单元(M1A)、具有单存储栅电极(MGu)的单栅极型存储单元(M2)的非易失性半导体存储装置中，在第一区域(R1)隔着控制栅电极(ICs)形成控制栅电极(CGs)，在第一区域(R1)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成侧壁存储栅电极(MGs)，同时在第二区域(R2)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成单存储栅电极(MGu)。此时，侧壁存储栅电极(MGs)和单存储栅电极(MGu)由同一工序形成，控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)以电绝缘的状态相邻地配置。

公开(公告)号：CN1677675B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200510003916.3

申请日：2005-01-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 石丸哲也 ,  久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C16/0466 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种使非易失性半导体存储器件的特性提高了的非易失性半导体存储器件，其存储单元包括：用于蓄积电荷的氮化硅膜(SIN)，由位于其上下的氧化膜(BOTOX、TOPOX)构成的ONO膜，其上部的存储器栅电极(MG)，中间隔着ONO膜位于其侧部的选择栅电极(SG)，位于其下部的栅极绝缘膜(SGOX)，源极区域(MS)和漏极区域(MD)；给存储单元的源极区域(MS)施加正电位，给存储器栅电极(MG)施加负电位，给选择栅电极(SG)施加正电位，使电流从漏极区域(MD)向源极区域(MS)流动，并且将因BTBT而产生的空穴注入氮化硅膜(SIN)中，进行擦除。