公开(公告)号：CN1728401B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200510086030.X

申请日：2005-07-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎 ,  石丸哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。

公开(公告)号：CN1677675B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200510003916.3

申请日：2005-01-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 石丸哲也 ,  久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C16/0466 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种使非易失性半导体存储器件的特性提高了的非易失性半导体存储器件，其存储单元包括：用于蓄积电荷的氮化硅膜(SIN)，由位于其上下的氧化膜(BOTOX、TOPOX)构成的ONO膜，其上部的存储器栅电极(MG)，中间隔着ONO膜位于其侧部的选择栅电极(SG)，位于其下部的栅极绝缘膜(SGOX)，源极区域(MS)和漏极区域(MD)；给存储单元的源极区域(MS)施加正电位，给存储器栅电极(MG)施加负电位，给选择栅电极(SG)施加正电位，使电流从漏极区域(MD)向源极区域(MS)流动，并且将因BTBT而产生的空穴注入氮化硅膜(SIN)中，进行擦除。

公开(公告)号：CN101847437B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010113034.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件的操作方法，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。通过对所述第二栅极施加电压，将电子和空穴从所述第二沟道区域注入到所述电荷积蓄膜，从而进行写入；所述写入具有对于所述第二栅极一边改变电压一边进行电压施加的步骤。

公开(公告)号：CN101290800B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810091481.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 石丸哲也 ,  岛本泰洋 ,  安井感

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/14 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种能够减少擦除电流的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件的存储单元具有形成在半导体衬底上的源极区域和漏极区域。然后，在源极区域和漏极区域之间的半导体衬底上隔着栅极绝缘膜形成有选择栅电极。在选择栅电极的侧壁上隔着下部氧化硅膜和作为电荷蓄积膜的氮氧化硅膜形成有存储器栅电极。在这样构成的存储单元中，如下述那样进行擦除动作。通过对存储器栅电极施加正电压，从存储器栅电极向氮氧化硅膜注入空穴来使阈值电压从写入状态的阈值电压下降到一定电平，然后向氮氧化硅膜注入由能带间隧道效应产生的热空穴来完成擦除动作。

公开(公告)号：CN101847437A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010113034.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件的操作方法，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。通过对所述第二栅极施加电压，将电子和空穴从所述第二沟道区域注入到所述电荷积蓄膜，从而进行写入；所述写入具有对于所述第二栅极一边改变电压一边进行电压施加的步骤。