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公开(公告)号：CN104064477A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410055269.X
申请日：2014-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16055 , H01L2224/1607 , H01L2224/16113 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/17134 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN104064477B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410055269.X
申请日：2014-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16055 , H01L2224/1607 , H01L2224/16113 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/17134 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN103443915B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN103443915A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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