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公开(公告)号：CN101150113B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710006908.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/822
CPC classification number: H01L23/5256 , H01H85/041 , H01L23/5227 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。
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公开(公告)号：CN104423410B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410443119.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN104423410A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443119.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN101241900B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200710136231.5
申请日：2007-07-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供能使用电熔丝执行可靠援救处理的半导体集成电路。本发明设置有熔丝布线、第一电极焊盘、第二电极焊盘、污染控制层及第一通孔布线和第二通孔布线。而且熔丝布线由超过预定电流值通过而切断。第一电极焊盘与熔丝布线的一侧连接。第二电极焊盘与熔丝布线的另一侧连接。经由绝缘层在熔丝布线的上层和下层中形成污染控制层。在熔丝布线的侧面，经由绝缘层形成一对第一通孔布线，它与污染控制层连接并且包围熔丝布线。关于熔丝布线，在第一通孔布线的外侧形成一对第二通孔布线，使得可以包围第一通孔布线。
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公开(公告)号：CN101079420B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710104279.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/525
CPC classification number: G11C17/18 , G11C17/165 , G11C29/027 , G11C29/028 , G11C29/785 , H01L23/5256 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在熔丝程序电路(FPK1-FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108052149A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810010195.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN102104043A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010546880.4
申请日：2010-11-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 大林茂树
IPC: H01L27/10 , H01L23/525
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。提供一种可以缩小保险丝线宽的半导体器件。在所述半导体器件1中，与保险丝FU相邻地设置有虚拟保险丝DFU，将保险丝FU及虚拟保险丝DFU各自的布线宽度设定为最小宽度，并将保险丝FU及虚拟保险丝DFU的间隔设定为最小间隔。因此，保险丝FU及虚拟保险丝DFU的曝光条件得到最佳化，从而可形成最小线宽的保险丝FU。
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公开(公告)号：CN108052149B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810010195.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN102104043B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201010546880.4
申请日：2010-11-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 大林茂树
IPC: H01L27/10 , H01L23/525
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。提供一种可以缩小保险丝线宽的半导体器件。在所述半导体器件1中，与保险丝FU相邻地设置有虚拟保险丝DFU，将保险丝FU及虚拟保险丝DFU各自的布线宽度设定为最小宽度，并将保险丝FU及虚拟保险丝DFU的间隔设定为最小间隔。因此，保险丝FU及虚拟保险丝DFU的曝光条件得到最佳化，从而可形成最小线宽的保险丝FU。
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公开(公告)号：CN101853698B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010157113.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/063 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0-PVLn)，根据对应列的位线(BL0、/BL0-BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时，根据选择列的位线电位，将单元电源线设成浮置状态，变更其电压电平，并减小所选择的存储器单元的锁存能力，高速写入数据。从而，实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。
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