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1.

发明授权
半导体装置有权转让

公开(公告)号：CN101853698B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010157113.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 新居浩二 , 大林茂树 , 牧野博之 , 石桥孝一郎 , 筱原寻史

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/063 , G11C11/412

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0-PVLn)，根据对应列的位线(BL0、/BL0-BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时，根据选择列的位线电位，将单元电源线设成浮置状态，变更其电压电平，并减小所选择的存储器单元的锁存能力，高速写入数据。从而，实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。

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