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公开(公告)号:CN101853698B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201010157113.4
申请日:2006-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/063 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0-PVLn),根据对应列的位线(BL0、/BL0-BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时,根据选择列的位线电位,将单元电源线设成浮置状态,变更其电压电平,并减小所选择的存储器单元的锁存能力,高速写入数据。从而,实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。
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公开(公告)号:CN103105882B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210451048.5
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/59 , G06F1/26 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H02M2001/0045 , H03K17/102 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括:多个输出晶体管,每个输出晶体管根据施加到控制端的阻抗控制信号所指示的控制值,相对于负载电流的量值控制输出电压的量值;电压监控电路,其输出输出电压监控值,该输出电压监控值指示输出电压的电压值;以及控制电路,其根据指示输出电压的目标值的基准电压和输出电压监控值之间的误差值的量值来控制控制值的量值,并且基于控制值来控制是否使这些晶体管的任一个成为导通状态。根据预先通知负载电流变化的预告信号,在预定时段内,控制电路相对于误差值增大控制值的变化步长。
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公开(公告)号:CN103105882A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201210451048.5
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/59 , G06F1/26 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H02M2001/0045 , H03K17/102 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括:多个输出晶体管,每个输出晶体管根据施加到控制端的阻抗控制信号所指示的控制值,相对于负载电流的量值控制输出电压的量值;电压监控电路,其输出输出电压监控值,该输出电压监控值指示输出电压的电压值;以及控制电路,其根据指示输出电压的目标值的基准电压和输出电压监控值之间的误差值的量值来控制控制值的量值,并且基于控制值来控制是否使这些晶体管的任一个成为导通状态。根据预先通知负载电流变化的预告信号,在预定时段内,控制电路相对于误差值增大控制值的变化步长。
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