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公开(公告)号:CN103105882A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201210451048.5
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/59 , G06F1/26 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H02M2001/0045 , H03K17/102 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括:多个输出晶体管,每个输出晶体管根据施加到控制端的阻抗控制信号所指示的控制值,相对于负载电流的量值控制输出电压的量值;电压监控电路,其输出输出电压监控值,该输出电压监控值指示输出电压的电压值;以及控制电路,其根据指示输出电压的目标值的基准电压和输出电压监控值之间的误差值的量值来控制控制值的量值,并且基于控制值来控制是否使这些晶体管的任一个成为导通状态。根据预先通知负载电流变化的预告信号,在预定时段内,控制电路相对于误差值增大控制值的变化步长。
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公开(公告)号:CN101201388B
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN200710199829.9
申请日:2007-12-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种片内电流测量方法和半导体集成电路,用于测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。该半导体集成电路包括:具有预定功能的电路块(C1);能对上述电路块提供工作用电源的电源开关(PSW1);以及根据上述电源开关被接通状态下的电源开关的端子间电压和电源开关的导通电阻,算出流入上述电路块的电流的电流测量电路(100)。根据上述电源开关被接通状态下的上述电源开关的端子间电压和上述电源开关的导通电阻,算出流入上述电路块的电流,从而能够测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。
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公开(公告)号:CN103105882B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210451048.5
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/59 , G06F1/26 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H02M2001/0045 , H03K17/102 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括:多个输出晶体管,每个输出晶体管根据施加到控制端的阻抗控制信号所指示的控制值,相对于负载电流的量值控制输出电压的量值;电压监控电路,其输出输出电压监控值,该输出电压监控值指示输出电压的电压值;以及控制电路,其根据指示输出电压的目标值的基准电压和输出电压监控值之间的误差值的量值来控制控制值的量值,并且基于控制值来控制是否使这些晶体管的任一个成为导通状态。根据预先通知负载电流变化的预告信号,在预定时段内,控制电路相对于误差值增大控制值的变化步长。
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