公开(公告)号：CN101150113B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710006908.3

申请日：2007-01-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  米津俊明 ,  大林茂树

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H85/041 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。

公开(公告)号：CN101241900B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200710136231.5

申请日：2007-07-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 米津俊明 ,  岩本猛 ,  大林茂树 ,  荒川政司 ,  河野和史

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在提供能使用电熔丝执行可靠援救处理的半导体集成电路。本发明设置有熔丝布线、第一电极焊盘、第二电极焊盘、污染控制层及第一通孔布线和第二通孔布线。而且熔丝布线由超过预定电流值通过而切断。第一电极焊盘与熔丝布线的一侧连接。第二电极焊盘与熔丝布线的另一侧连接。经由绝缘层在熔丝布线的上层和下层中形成污染控制层。在熔丝布线的侧面，经由绝缘层形成一对第一通孔布线，它与污染控制层连接并且包围熔丝布线。关于熔丝布线，在第一通孔布线的外侧形成一对第二通孔布线，使得可以包围第一通孔布线。

公开(公告)号：CN101079420B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710104279.8

申请日：2007-05-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大林茂树 ,  米津俊明 ,  岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  内田孝裕

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027 ,  G11C29/028 ,  G11C29/785 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在熔丝程序电路(FPK1-FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。

公开(公告)号：CN102157490A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110048498.5

申请日：2007-01-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  米津俊明 ,  大林茂树

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H85/041 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。

公开(公告)号：CN102074272A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010527103.5

申请日：2007-05-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大林茂树 ,  米津俊明 ,  岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  内田孝裕

IPC: G11C17/18 ,  G11C29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L23/525

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027 ,  G11C29/028 ,  G11C29/785 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在熔丝程序电路(FPK1-FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。