半导体装置及其温度特性测试方法

    公开(公告)号:CN117723920A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311066715.2

    申请日:2023-08-23

    Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其温度特性测试方法。在测试带隙基准电路的温度特性之前,测量针对多个样本的基准电压和绝对温度比例电压的温度依赖性。在测试温度特性时,基于带隙基准电路在预定温度下的基准电压与多个样本的基准电压的中值之间的差异ΔVref,计算带隙基准电路在预定温度下的绝对温度比例电压与多个样本的绝对温度比例电压的中值之间的差异ΔVptat。

    信号发生电路
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108052149B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201810010195.6

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中,调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间,第0个二极管的阳极连接至第一节点,第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点,第一节点和第二节点被设定为相同电压,流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值,且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109683006A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811093345.0

    申请日:2018-09-19

    Inventor: 南正隆

    Abstract: 提供一种半导体装置,其能够以小电路面积执行电压监测。电阻细分电路(RDIV)借助输入梯电阻器(R1-R4)执行输入电压(Vin)的电阻细分,并且通过细分的输入电压(Vi1-Vi3)驱动nMOS晶体管(MN1-MN3),每个细分的输入电压分别具有不同的电阻细分比率。pMOS晶体管(MP0)对于pMOS晶体管(MP1-MP3)共同设置,并且用pMOS晶体管(MP1-MP3)中的每一个构成电流镜电路。偏置电流生成电路(IBSG)向pMOS晶体管(MP1)提供偏置电流。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105738001A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201510976406.8

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。

    半导体器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105738001B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201510976406.8

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。

    信号发生电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108052149A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201810010195.6

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中,调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间,第0个二极管的阳极连接至第一节点,第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点,第一节点和第二节点被设定为相同电压,流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值,且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。

    半导体装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109683006B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN201811093345.0

    申请日:2018-09-19

    Inventor: 南正隆

    Abstract: 提供一种半导体装置,其能够以小电路面积执行电压监测。电阻细分电路(RDIV)借助输入梯电阻器(R1‑R4)执行输入电压(Vin)的电阻细分,并且通过细分的输入电压(Vi1‑Vi3)驱动nMOS晶体管(MN1‑MN3),每个细分的输入电压分别具有不同的电阻细分比率。pMOS晶体管(MP0)对于pMOS晶体管(MP1‑MP3)共同设置,并且用pMOS晶体管(MP1‑MP3)中的每一个构成电流镜电路。偏置电流生成电路(IBSG)向pMOS晶体管(MP1)提供偏置电流。

    异常电源电压检测设备以及用于检测异常电源电压的方法

    公开(公告)号:CN114114059A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202110391065.3

    申请日:2021-04-12

    Abstract: 本公开涉及一种异常电源电压检测设备和用于检测异常电源电压的方法,该异常电源电压检测设备具有根据每个半导体芯片的半导体元件的特性来精确地检测异常电压的功能。用于操作调节功能的电路组具有防止逻辑系统的电源电压变得异常的影响的功能,诸如在半导体产品故障的控制。此外,它具有检测半导体产品中各种电源的异常电压的功能。它还具有在使用半导体产品期间,在正常电源电压范围内测试异常电压检测功能的功能。

    信号发生电路和温度传感器

    公开(公告)号:CN104423410B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201410443119.6

    申请日:2014-09-02

    CPC classification number: G01K7/01

    Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中,调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间,第0个二极管的阳极连接至第一节点,第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点,第一节点和第二节点被设定为相同电压,流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值,且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。

    信号发生电路和温度传感器

    公开(公告)号:CN104423410A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410443119.6

    申请日:2014-09-02

    CPC classification number: G01K7/01

    Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中,调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间,第0个二极管的阳极连接至第一节点,第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点,第一节点和第二节点被设定为相同电压,流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值,且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。

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