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公开(公告)号:CN101373955B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN200810214787.6
申请日:2008-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F3/45659 , H03F2200/453 , H03F2203/45082 , H03F2203/45424
Abstract: 提供一种即使在电源电压比较小的情况下,也不会引起性能恶化并且能够过驱动恢复的差动放大电路。在作为第一输出部的节点N1和电源Vdd之间相互并联地插入PMOS晶体管MP1和MP3,在作为第二输出部的节点N2和电源Vdd之间相互并联地插入PMOS晶体管MP2和MP4。通过复制电路4和比较器5,将输入电压Vin和基准电压Vref的输入电位差是“0”的平衡状态时的输出电压Vout p和Vout n均设定为基准输出公共电压Voutcm_ideal。设定复制电路4的基准输出公共电压Voutcm_ideal,以使得电源电压Vdd和输出公共电压Voutcm的电位差成为比以二极管方式连接的PMOS晶体管MP1和MP2的阈值电压Vth低的值。
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公开(公告)号:CN105738001A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201510976406.8
申请日:2015-12-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。
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公开(公告)号:CN103492971B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201280018085.5
申请日:2012-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 电压产生电路具有:第1双极型晶体管(Q2);第2双极型晶体管(Q1),发射极在第1电位节点侧与(Q2)的发射极侧同电位,基极配于(Q2)的集电极侧;一端配于(Q2)的集电极侧另一端配于(Q2)的基极侧的第1电阻元件(R2);一端配于(Q1)的集电极侧另一端连接于(R2)的另一端的第2电阻元件(R1);设在(Q2)的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件(R3);输出与(Q1)和(Q2)的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部(A1);电压电流转换部(MP1、MP2),将放大器部的输出电压转换成电流而供给到(R1)与(R2)的连接节点,输出生成的电流;基于生成的电流输出电压的电压生成部(R4)。
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公开(公告)号:CN105738001B
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201510976406.8
申请日:2015-12-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。
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公开(公告)号:CN103492971A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280018085.5
申请日:2012-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 电压产生电路具有:第1双极型晶体管(Q2);第2双极型晶体管(Q1),发射极在第1电位节点侧与(Q2)的发射极侧同电位,基极配于(Q2)的集电极侧;一端配于(Q2)的集电极侧另一端配于(Q2)的基极侧的第1电阻元件(R2);一端配于(Q1)的集电极侧另一端连接于(R2)的另一端的第2电阻元件(R1);设在(Q2)的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件(R3);输出与(Q1)和(Q2)的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部(A1);电压电流转换部(MP1、MP2),将放大器部的输出电压转换成电流而供给到(R1)与(R2)的连接节点,输出生成的电流;基于生成的电流输出电压的电压生成部(R4)。
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