公开(公告)号：CN103492971B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201280018085.5

申请日：2012-04-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐野真也 ,  堀口真志 ,  三木隆博 ,  平木充

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/267 ,  G05F3/20 ,  G05F3/26 ,  G05F3/30 ,  H02M3/158

Abstract: 电压产生电路具有：第1双极型晶体管（Q2）；第2双极型晶体管（Q1），发射极在第1电位节点侧与（Q2）的发射极侧同电位，基极配于（Q2）的集电极侧；一端配于（Q2）的集电极侧另一端配于（Q2）的基极侧的第1电阻元件（R2）；一端配于（Q1）的集电极侧另一端连接于（R2）的另一端的第2电阻元件（R1）；设在（Q2）的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件（R3）；输出与（Q1）和（Q2）的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部（A1）；电压电流转换部（MP1、MP2），将放大器部的输出电压转换成电流而供给到（R1）与（R2）的连接节点，输出生成的电流；基于生成的电流输出电压的电压生成部（R4）。

公开(公告)号：CN101373635B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200810166448.5

申请日：2002-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中利广 ,  梅本由纪子 ,  平木充 ,  品川裕 ,  藤户正道 ,  铃川一文 ,  古川博之 ,  山木贵志 ,  神垣良昭 ,  南真一 ,  片山弘造 ,  松崎望

IPC: G11C16/04

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体器件包括多个非易失存储单元(1)，各个非易失存储单元包含用于信息储存的MOS型第一晶体管区(3)以及对第一晶体管区进行选择的MOS型第二晶体管区(4)。第二晶体管区具有连接到位线的位线电极(16)以及连接到控制栅控制线的控制栅电极(18)。第一晶体管区具有连接到源线的源线电极(10)、连接到存储器栅控制线的存储器栅电极(14)、以及设置在存储器栅电极正下方的电荷储存区(11)。第二晶体管区的栅承受电压低于第一晶体管区的栅承受电压。假设第二晶体管区的栅绝缘膜的厚度被定义为tc，且第一晶体管区的栅绝缘膜的厚度被定义为tm时，则它们具有tc

公开(公告)号：CN103492971A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018085.5

申请日：2012-04-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐野真也 ,  堀口真志 ,  三木隆博 ,  平木充

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/267 ,  G05F3/20 ,  G05F3/26 ,  G05F3/30 ,  H02M3/158

Abstract: 电压产生电路具有：第1双极型晶体管（Q2）；第2双极型晶体管（Q1），发射极在第1电位节点侧与（Q2）的发射极侧同电位，基极配于（Q2）的集电极侧；一端配于（Q2）的集电极侧另一端配于（Q2）的基极侧的第1电阻元件（R2）；一端配于（Q1）的集电极侧另一端连接于（R2）的另一端的第2电阻元件（R1）；设在（Q2）的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件（R3）；输出与（Q1）和（Q2）的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部（A1）；电压电流转换部（MP1、MP2），将放大器部的输出电压转换成电流而供给到（R1）与（R2）的连接节点，输出生成的电流；基于生成的电流输出电压的电压生成部（R4）。