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公开(公告)号：CN109617529B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811529191.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN105871335A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610184601.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
CPC classification number: H03B5/32 , H02H7/20 , H03B5/364 , H03B2200/0088 , H03B2202/03 , H03B2202/082 , H03B2202/084 , H05K1/181 , H05K2201/10075
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN102735360A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210108048.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01K7/01
CPC classification number: G01K15/005 , G01K7/01 , G05F3/30
Abstract: 本公开涉及半导体器件和数据生成方法。目标在于提高温度传感器的精度，抑制测试过程中测试温度的数量。半导体器件包括系数计算单元和校正运算单元，系数计算单元计算系数直至N阶(N为大于等于一的整数)的校正函数作为特征函数的N阶近似，特征函数表示由温度传感器单元测量的温度数据与基于N+1个温度数据得到的温度的对应关系，这N+1个温度数据包括特征函数在预定温度下的理论值以及由温度传感器单元在N个温度点测量的N个温度数据测量值；校正运算单元通过借助应用了算出系数的校正函数以由温度传感器单元测量的温度数据为基础执行计算来生成包括温度相关信息的数据。
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公开(公告)号：CN105871335B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610184601.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN103488234B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310232130.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地，本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路，以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103580606A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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公开(公告)号：CN109617529A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811529191.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN102545782B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110419785.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/32 , H02H7/20 , H03B5/364 , H03B2200/0088 , H03B2202/03 , H03B2202/082 , H03B2202/084 , H05K1/181 , H05K2201/10075
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN103492971A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018085.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 电压产生电路具有：第1双极型晶体管（Q2）；第2双极型晶体管（Q1），发射极在第1电位节点侧与（Q2）的发射极侧同电位，基极配于（Q2）的集电极侧；一端配于（Q2）的集电极侧另一端配于（Q2）的基极侧的第1电阻元件（R2）；一端配于（Q1）的集电极侧另一端连接于（R2）的另一端的第2电阻元件（R1）；设在（Q2）的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件（R3）；输出与（Q1）和（Q2）的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部（A1）；电压电流转换部（MP1、MP2），将放大器部的输出电压转换成电流而供给到（R1）与（R2）的连接节点，输出生成的电流；基于生成的电流输出电压的电压生成部（R4）。
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公开(公告)号：CN103580606B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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