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公开(公告)号：CN103580606A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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公开(公告)号：CN106843359A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710204410.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN103019292B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210318974.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN103580606B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102735360B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201210108048.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01K7/01
CPC classification number: G01K15/005 , G01K7/01 , G05F3/30
Abstract: 本公开涉及半导体器件和数据生成方法。目标在于提高温度传感器的精度，抑制测试过程中测试温度的数量。半导体器件包括系数计算单元和校正运算单元，系数计算单元计算系数直至N阶(N为大于等于一的整数)的校正函数作为特征函数的N阶近似，特征函数表示由温度传感器单元测量的温度数据与基于N+1个温度数据得到的温度的对应关系，这N+1个温度数据包括特征函数在预定温度下的理论值以及由温度传感器单元在N个温度点测量的N个温度数据测量值；校正运算单元通过借助应用了算出系数的校正函数以由温度传感器单元测量的温度数据为基础执行计算来生成包括温度相关信息的数据。
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公开(公告)号：CN106843359B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710204410.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN101635506B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN200910149191.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0207 , G11C16/30 , H01L23/4824 , H01L27/0218 , H01L27/11526 , H01L27/11573 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/0002 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件，其极大地降低由调节器产生的电源电压的电压降并高效且高精度地确保电源电压的稳定提供。在该器件中，存储器电源包括多个晶体管和一个误差放大器。在晶体管中，源极焊盘和漏极焊盘沿着半导体芯片的一个边缘在该芯片的外围区域中交替布置成行。晶体管栅极与交替布置的源极焊盘和漏极焊盘平行形成(使得栅极的纵向方向与源极焊盘和漏极焊盘的布置方向平行)。因此，缩短与漏极和源极耦合的布线长度并减小薄片电阻。
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公开(公告)号：CN103019292A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210318974.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN102735360A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210108048.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01K7/01
CPC classification number: G01K15/005 , G01K7/01 , G05F3/30
Abstract: 本公开涉及半导体器件和数据生成方法。目标在于提高温度传感器的精度，抑制测试过程中测试温度的数量。半导体器件包括系数计算单元和校正运算单元，系数计算单元计算系数直至N阶(N为大于等于一的整数)的校正函数作为特征函数的N阶近似，特征函数表示由温度传感器单元测量的温度数据与基于N+1个温度数据得到的温度的对应关系，这N+1个温度数据包括特征函数在预定温度下的理论值以及由温度传感器单元在N个温度点测量的N个温度数据测量值；校正运算单元通过借助应用了算出系数的校正函数以由温度传感器单元测量的温度数据为基础执行计算来生成包括温度相关信息的数据。
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