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公开(公告)号：CN106843359B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710204410.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN103019292A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210318974.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN106843359A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710204410.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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公开(公告)号：CN103019292B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210318974.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置和温度传感器系统。为抑制电压比较器的数量随着芯片温度检测范围的扩大而增大，半导体装置中的温度传感器包括根据芯片温度来输出电压的温度检测电路、生成多个参考电压的参考电压生成电路以及将由参考电压生成电路获得的每个参考电压与温度检测电路的输出电压进行比较并由此生成配置有多个位的芯片温度检测信号的多个电压比较器。此外，温度传感器包括基于芯片温度检测信号控制由参考电压生成电路生成的参考电压并由此改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系以使芯片温度检测范围移位的控制电路。可以在不增加电压比较器的数量的情况下通过改变芯片温度检测信号与芯片温度之间的对应关系扩大芯片温度检测范围。
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