公开(公告)号：CN103403859B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180068928.8

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口和亮 ,  森本康夫 ,  伊藤正雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7846

Abstract: 在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。

公开(公告)号：CN103403859A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068928.8

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口和亮 ,  森本康夫 ,  伊藤正雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7846

Abstract: 在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。

公开(公告)号：CN101373955B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200810214787.6

申请日：2008-06-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口和亮 ,  三木隆博

IPC: H03F3/45 ,  H03M1/34

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H03F3/45659 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45082 ,  H03F2203/45424

Abstract: 提供一种即使在电源电压比较小的情况下，也不会引起性能恶化并且能够过驱动恢复的差动放大电路。在作为第一输出部的节点N1和电源Vdd之间相互并联地插入PMOS晶体管MP1和MP3，在作为第二输出部的节点N2和电源Vdd之间相互并联地插入PMOS晶体管MP2和MP4。通过复制电路4和比较器5，将输入电压Vin和基准电压Vref的输入电位差是“0”的平衡状态时的输出电压Vout p和Vout n均设定为基准输出公共电压Voutcm_ideal。设定复制电路4的基准输出公共电压Voutcm_ideal，以使得电源电压Vdd和输出公共电压Voutcm的电位差成为比以二极管方式连接的PMOS晶体管MP1和MP2的阈值电压Vth低的值。