公开(公告)号：CN103403859B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180068928.8

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口和亮 ,  森本康夫 ,  伊藤正雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7846

Abstract: 在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。

公开(公告)号：CN103403859A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068928.8

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口和亮 ,  森本康夫 ,  伊藤正雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7846

Abstract: 在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。