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公开(公告)号：CN105870139A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610076675.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 后藤洋太郎
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14683 , H01L27/1462 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种拍摄装置及其制造方法，其中，绝缘衬层(LL1～LL4)在像素区域(GAR)的外侧的区域、且在像素区域(GAR)的4个角部(AO)之中的至少一个角部(AO)的对顶角的区域(OFR)内，具有除去了绝缘衬层(LL1～LL4)的像素外去除区域(OPR)。
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公开(公告)号：CN116913945A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310254153.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底、各自从半导体衬底的上表面形成的第一源极区域和第一漏极区域、经由第一栅极介电膜在半导体衬底上形成的在第一源极区域与第一漏极区域之间的第一栅极电极、在栅极长度方向上在半导体衬底的上表面中形成的在第一栅极介电膜与第一漏极区域之间的第一沟槽、在栅极长度方向上在半导体衬底的上表面中形成的在栅极介电膜与第一漏极区域之间的比第一沟槽浅的第二沟槽，以及嵌入第一沟槽和第二沟槽中的第一介电膜。第一沟槽和第二沟槽在栅极宽度方向上彼此接触。
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公开(公告)号：CN106486507A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610665982.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 后藤洋太郎
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14625
Abstract: 本公开涉及一种成像器件和成像器件的制造方法，其能够在不形成诸如防止氢气扩散膜的新层的情况下降低光学黑色像素中的暗电流的水平。布置在有效像素区之上的光电二极管之上的绝缘层和在布置在OB像素区之上的光电二极管之上的绝缘层都包括氮化硅、都由相同层形成、并且彼此耦合。
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公开(公告)号：CN109148494A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810490156.0
申请日：2018-05-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法，在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中，通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面，贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合，上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。
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公开(公告)号：CN109037252A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810430515.3
申请日：2018-05-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及固态成像器件及其制造方法。为了提高固态成像器件的性能，固态成像器件具有包括光电转换单元和传输晶体管的像素，并且氟被引入到像素中包括的传输晶体管的栅极电极和漏极区域(延伸区域和n+型半导体区域)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374835A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510476760.4
申请日：2015-08-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了具有改进性能的半导体器件。该半导体器件包括光电二极管和转移晶体管，光电二极管具有电荷存储层(n型半导体区)和表面层(p型半导体区)，转移晶体管具有栅电极和浮动扩散部。形成在第一导电类型的电荷存储层(n型半导体区)上方的第二导电类型的表面层(p型半导体区)包括具有低杂质浓度的第一子区和具有高杂质浓度的第二子区。第一子区布置得比第二子区更靠近浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN117133775A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310510347.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 后藤洋太郎
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8234
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底中，形成n型源极区、n型漏极区、第一p型半导体区以及第二p型半导体区，该第二p型半导体区围绕n型源极区和第一p型半导体区。栅极电极经由电介质膜GF形成在n型源极区和n型漏极区之间的半导体衬底上。在半导体衬底中，形成凹陷部分以穿透n型源极区，并且第一p型半导体区形成在凹陷部分下方。
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公开(公告)号：CN113745323A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110564286.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜，并且在栅极电极的栅极长度方向上，第二绝缘膜位于n型源极区域侧，而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成，层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。
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公开(公告)号：CN108807436A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810362139.9
申请日：2018-04-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，其在不增加半导体芯片面积的情况下提高背面照射CMOS图像传感器的暗电流特性和传输效率。在CMOS图像传感器中，像素包括传输晶体管和具有pn结的光电二极管。在平面图中，通过隔离绝缘膜在构成光电二极管的n型区域上方形成反射层。反射层通过帽绝缘膜在传输晶体管的栅极电极上方延伸。第一层信号布线通过在栅极电极上方的层间绝缘膜中制作的接触孔电耦合到栅极电极和反射层两者，因此相同的电势被施加到栅极电极和反射层。
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