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公开(公告)号：CN113745323A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110564286.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜，并且在栅极电极的栅极长度方向上，第二绝缘膜位于n型源极区域侧，而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成，层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。
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