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公开(公告)号：CN104465684A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410464770.1
申请日：2014-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 神野健
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的性能得到了改善。半导体器件具有在像素区域中形成的光电二极管和转移晶体管。此外，半导体器件具有在外围电路区域中形成的第二晶体管。转移晶体管包括第一栅电极以及由在第一栅电极上方形成的厚的硬掩模膜形成的膜部件。第二晶体管包括第二栅电极、源极/漏极区域、在第二栅电极的上表面以及源极/漏极区域的上表面处形成的硅化物层。
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公开(公告)号：CN104465684B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410464770.1
申请日：2014-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 神野健
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的性能得到了改善。半导体器件具有在像素区域中形成的光电二极管和转移晶体管。此外，半导体器件具有在外围电路区域中形成的第二晶体管。转移晶体管包括第一栅电极以及由在第一栅电极上方形成的厚的硬掩模膜形成的膜部件。第二晶体管包括第二栅电极、源极/漏极区域、在第二栅电极的上表面以及源极/漏极区域的上表面处形成的硅化物层。
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公开(公告)号：CN107994041B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201711117791.6
申请日：2012-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。
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公开(公告)号：CN109037252A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810430515.3
申请日：2018-05-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及固态成像器件及其制造方法。为了提高固态成像器件的性能，固态成像器件具有包括光电转换单元和传输晶体管的像素，并且氟被引入到像素中包括的传输晶体管的栅极电极和漏极区域(延伸区域和n+型半导体区域)。
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公开(公告)号：CN107994041A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711117791.6
申请日：2012-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/266 , H01L21/28123 , H01L21/28518 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L29/665 , H04N5/374
Abstract: 以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374835A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510476760.4
申请日：2015-08-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了具有改进性能的半导体器件。该半导体器件包括光电二极管和转移晶体管，光电二极管具有电荷存储层(n型半导体区)和表面层(p型半导体区)，转移晶体管具有栅电极和浮动扩散部。形成在第一导电类型的电荷存储层(n型半导体区)上方的第二导电类型的表面层(p型半导体区)包括具有低杂质浓度的第一子区和具有高杂质浓度的第二子区。第一子区布置得比第二子区更靠近浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN104813473A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280076690.8
申请日：2012-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/266 , H01L21/28123 , H01L21/28518 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L29/665 , H04N5/374
Abstract: 以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。
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公开(公告)号：CN103681714A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310404801.X
申请日：2013-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了一种摄像装置及其制造方法。一种可防止因波导与光电二极管的距离偏差、以及因射入光的反射抑制引起的光衰减而造成像素部的感光度劣化的摄像装置和制造方法。在像素区域PE中，形成有贯穿第四层间绝缘膜IF4等并到达侧壁绝缘膜SWI的波导WG。侧壁绝缘膜SWI为氧化硅膜与氮化硅膜的层叠结构。波导WG以贯穿侧壁绝缘膜的氮化硅膜并到达侧壁绝缘膜的氧化硅膜SWO的方式形成，或者以到达侧壁绝缘膜的氮化硅膜的方式形成。
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公开(公告)号：CN103681714B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201310404801.X
申请日：2013-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了一种摄像装置及其制造方法。一种可防止因波导与光电二极管的距离偏差、以及因射入光的反射抑制引起的光衰减而造成像素部的感光度劣化的摄像装置和制造方法。在像素区域PE中，形成有贯穿第四层间绝缘膜IF4等并到达侧壁绝缘膜SWI的波导WG。侧壁绝缘膜SWI为氧化硅膜与氮化硅膜的层叠结构。波导WG以贯穿侧壁绝缘膜的氮化硅膜并到达侧壁绝缘膜的氧化硅膜SWO的方式形成，或者以到达侧壁绝缘膜的氮化硅膜的方式形成。
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公开(公告)号：CN104813473B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201280076690.8
申请日：2012-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/266 , H01L21/28123 , H01L21/28518 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L29/665 , H04N5/374
Abstract: 以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。
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