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公开(公告)号：CN109148494A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810490156.0
申请日：2018-05-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法，在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中，通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面，贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合，上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。
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公开(公告)号：CN107527929A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710432937.X
申请日：2017-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。本发明的目的是为了提供具有提高的灵敏度并且同时导致较少暗电流、噪声等的固态图像传感器。在具有由N型半导体基底和其上的P型外延层组成的基底的固态图像传感器中，在隔离区中形成穿透所述外延层的沟槽，所述隔离区在其中具有像素阵列的像素区和在像素区周围的外围电路区之间；以及形成由绝缘膜组成的DTI结构，所述沟槽被填充有所述绝缘膜。从而防止在所述像素区和所述外围电路区之间的基底中的电子转移。
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公开(公告)号：CN108807436A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810362139.9
申请日：2018-04-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，其在不增加半导体芯片面积的情况下提高背面照射CMOS图像传感器的暗电流特性和传输效率。在CMOS图像传感器中，像素包括传输晶体管和具有pn结的光电二极管。在平面图中，通过隔离绝缘膜在构成光电二极管的n型区域上方形成反射层。反射层通过帽绝缘膜在传输晶体管的栅极电极上方延伸。第一层信号布线通过在栅极电极上方的层间绝缘膜中制作的接触孔电耦合到栅极电极和反射层两者，因此相同的电势被施加到栅极电极和反射层。
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公开(公告)号：CN208521936U
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201820806159.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种固态摄像元件，在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中，通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面，贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合，上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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