公开(公告)号：CN107527929A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710432937.X

申请日：2017-06-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭塚康治 ,  佐藤英则

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。本发明的目的是为了提供具有提高的灵敏度并且同时导致较少暗电流、噪声等的固态图像传感器。在具有由N型半导体基底和其上的P型外延层组成的基底的固态图像传感器中，在隔离区中形成穿透所述外延层的沟槽，所述隔离区在其中具有像素阵列的像素区和在像素区周围的外围电路区之间；以及形成由绝缘膜组成的DTI结构，所述沟槽被填充有所述绝缘膜。从而防止在所述像素区和所述外围电路区之间的基底中的电子转移。

公开(公告)号：CN103855175A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310631678.5

申请日：2013-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭塚康治

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L23/564 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种能够抑制裂缝的出现以及确保平坦性的高可靠性半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；元件区；以及非元件区。非元件区包括：形成在非元件区中的金属布线的顶层中的顶层金属布线；覆盖顶层金属布线的上表面的平坦化膜；以及形成在平坦化膜上的保护膜。其中去除了保护膜的去除部形成在非元件区的至少一部分中。

公开(公告)号：CN103855175B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201310631678.5

申请日：2013-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭塚康治

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种能够抑制裂缝的出现以及确保平坦性的高可靠性半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；元件区；以及非元件区。非元件区包括：形成在非元件区中的金属布线的顶层中的顶层金属布线；覆盖顶层金属布线的上表面的平坦化膜；以及形成在平坦化膜上的保护膜。其中去除了保护膜的去除部形成在非元件区的至少一部分中。

公开(公告)号：CN107425026A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710197424.5

申请日：2017-03-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭塚康治 ,  高桥史年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括：具有主表面和背表面的半导体衬底，形成在半导体衬底的主表面之上且具有与主表面接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面的器件隔离膜，设置在器件隔离膜之上，接触器件隔离膜的第二表面的板状电极，以及邻近器件隔离膜的第一表面设置，且接触板状电极的焊盘电极。半导体衬底具有从背表面贯穿至主表面且暴露器件隔离膜的第一开口。器件隔离膜具有位于第一开口中并暴露板状电极的一部分的第二开口。焊盘电极形成在第二开口中，且在器件隔离膜的第一表面之上延伸。

公开(公告)号：CN106449675A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610640094.8

申请日：2016-08-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭塚康治 ,  富松孝宏

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及成像装置及其制造方法。提供了一种成像装置，在该成像装置中可抑制静止图片的动态范围被减小。在该成像装置中，在p型阱中形成由包括n型杂质区在内的光电二极管和包括n型杂质区在内的光电二极管。在一侧上的n型杂质区和在另一侧上的n型杂质区之间形成n型杂质区，以便接触这二者中的每个。最后形成的n型杂质区的杂质浓度被设置成低于第一次形成的n型杂质区的杂质浓度。