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公开(公告)号：CN105826300B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610008571.9
申请日：2016-01-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。为了提高在半导体芯片之间耦合的内插板的信号传输可靠性。参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第一布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第二布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，信号布线和信号布线在平面图中彼此交叉。第一布线层的参考电位布线以及第二布线层的参考电位布线在它们的交叉部的周边处彼此耦合。
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公开(公告)号：CN102142420B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201110034181.6
申请日：2011-01-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 及川隆一
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/66 , G06F17/50
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/49503 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6638 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种互连结构。互连结构包括：被提供为传输差分信号的第一和第二差分信号互连；和被施加有预定的电压的第一和第二电压互连。第一电压互连、第一差分信号互连、第二差分信号互连以及第二电压互连被按顺序布置。第一和第二差分信号互连之间的间隔比第一电压互连和第一差分信号互连之间的间隔长并且比第二差分信号互连和第二电压互连之间的间隔长。当第一连接点和离第一连接点最近的第二连接点被提供在第一和第二差分信号互连以及第一和第二电压互连中的任何一个上时，第一连接点和第二连接点之间的距离处于差分信号的波长的1/16至其波长的1/8的范围内。
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公开(公告)号：CN104103627A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410140385.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73153 , H01L2224/73204 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15184 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及互连基板。半导体基板包括半导体芯片以及互连基板。互连基板具有在第一主表面和第二主表面之间的互连区，第一主表面形成有连接到半导体芯片的多个顺序排列的第一和第二信号电极。互连区具有：芯基板；形成在其两个表面上的互连层；多个第一通孔以及穿过第一主表面上的互连层的多个第一通路，用于形成阻抗匹配电容。各个第一通孔在与第一信号电极隔开第一互连长度的位置处连接到第一信号互连，并且各个第一通路在与第二信号电极隔开基本上与第一互连长度相等的第二互连长度的位置处连接到第二信号互连。
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公开(公告)号：CN106663660B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201480081265.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括搭载在搭载于配线基板的中介部上且经由中介部而彼此电连接的第一及第二半导体部件。并且，中介部的多个配线层具有从作为基准的主面侧依次层叠的第一配线层、第二配线层及第三配线层。并且，在中介部的夹在第一半导体部件和第二半导体部件之间的第一区域中，第三配线层中的基准电位用配线的比例比第一配线层中的基准电位用配线的比例大。并且，在第一区域中，第一配线层中的信号用配线的比例比第三配线层中的信号用配线的比例大。
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公开(公告)号：CN110071092A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910035207.5
申请日：2019-01-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 及川隆一
IPC: H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及半导体器件。在抑制了中介层中形成的布线之间的寄生电容的增加的同时，减少了中介层中形成的布线之间的串扰。半导体器件具有中介层，该中介层包括第一布线层、形成在第一布线层之上的第二布线层以及形成在第二布线层之上的第三布线层。在平面图中，形成在第一布线层中的第一信号布线和形成在第二布线层中的参考布线彼此远离。类似地，在平面图中，形成在第二布线层中的参考布线和形成在第三布线层中的第三信号布线彼此远离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810346B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510040725.8
申请日：2015-01-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。目的是提高半导体器件的噪声抗扰性。半导体器件的布线基板包括：形成传送信号的布线的第一布线层，和与第一布线层的上层或下层相邻地安装的第二布线层。第二布线层包括：其中在厚度方向上与布线(23)的一部分重叠的位置处形成开口部分的导体平面，和安装在导体平面的开口部分内的导体图案。导体图案包括：与导体平面隔离的主图案部即网格图案部，和耦合主图案部与导体平面的多个耦合部。
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公开(公告)号：CN106663660A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081265.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括搭载在搭载于配线基板的中介部上且经由中介部而彼此电连接的第一及第二半导体部件。并且，中介部的多个配线层具有从作为基准的主面侧依次层叠的第一配线层、第二配线层及第三配线层。并且，在中介部的夹在第一半导体部件和第二半导体部件之间的第一区域中，第三配线层中的基准电位用配线的比例比第一配线层中的基准电位用配线的比例大。并且，在第一区域中，第一配线层中的信号用配线的比例比第三配线层中的信号用配线的比例大。
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公开(公告)号：CN106711119B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610997847.0
申请日：2016-11-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 及川隆一
IPC: H01L23/498
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。本发明提供了一种实现功耗增大的抑制的半导体装置。一种半导体装置具有信号线、接收缓冲电路以及延迟元件，接收缓冲电路耦合到信号线的端部并且从信号线被供给信号，延迟元件线或耦合到信号线的端部并且使信号的波形在信号线的端部处成形。
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公开(公告)号：CN109119398A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810648794.0
申请日：2018-06-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 及川隆一
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/66
Abstract: 本公开涉及半导体装置。用于改善80GHz或更高的高频信号的信号传输特性。半导体装置包括布线板，布线板具有信号通孔结构和接地通孔结构在平面图中具有相互重叠的部分的结构。
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公开(公告)号：CN105826300A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610008571.9
申请日：2016-01-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。为了提高在半导体芯片之间耦合的内插板的信号传输可靠性。参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第一布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第二布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，信号布线和信号布线在平面图中彼此交叉。第一布线层的参考电位布线以及第二布线层的参考电位布线在它们的交叉部的周边处彼此耦合。
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