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公开(公告)号：CN113640644B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN114388385A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN113740693A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988238.X
申请日：2021-08-26
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113745195A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111158561.0
申请日：2021-09-30
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 本申请涉及一种半导体芯片及半导体芯片的制作方法，其中，所述半导体芯片包括：晶圆、层间介质、缓冲层和金属层；所述晶圆的顶部淀积有所述层间介质；所述层间介质的顶部淀积有所述缓冲层；所述缓冲层的顶部镀有所述金属层。本申请用以解决现有技术中因应力的影响导致芯片的性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN113640644A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN113764293A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110989720.5
申请日：2021-08-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取到待上芯的目标晶圆和目标晶圆的晶圆图，其中，晶圆图包括有目标晶圆中的芯片的标志；根据晶圆图中的特殊芯片标志和/或边缘芯片标志将目标晶圆和晶圆图对齐；在对齐目标晶圆和晶圆图后，根据晶圆图中的良品芯片标志封装目标晶圆中的良品芯片。本发明解决了晶圆上芯准确度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113690195A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111088688.X
申请日：2021-09-16
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L21/48 , H01L23/367
摘要： 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，提供了一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法，该所述框架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有安装部，安装部的第三表面与待安装件连接，第一表面和第三表面之间存在第一方向上的间距，且安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距。本发明提供了一种通过第一表面和第三表面之间在第一方向上间距的设置，限制焊料的位置，将待安装件安装于第三表面时多余的焊料会朝向远离待安装件的侧边运动，通过安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距，使得待安装件安装后其周侧不会与其他部件相接触，改善了在框架上安装待安装件时发生的爬胶和溢胶的现象，提高器件封装良率。
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公开(公告)号：CN210668309U
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201922258041.1
申请日：2019-12-16
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及芯片烘烤工装技术领域，提出一种用于芯片烘烤工艺的料盘，包括盘体以及设置在所述盘体上的多个凸台，每个所述凸台顶面靠近边缘处设置有用于固定芯片的多个挡墙，相邻凸台上的相邻挡墙之间通过连接结构相互连接，本实用新型具有结构强度高、使用寿命长和制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN110970375B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
申请人： 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31
摘要： 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN110808235A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810884478.3
申请日：2018-08-06
申请人： 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。
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