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公开(公告)号：CN113053847B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN113035773B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911373510.2
申请日：2019-12-25
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明实施例涉及一种芯片封装方法、刻蚀设备及芯片，所述方法包括：对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um～108um；在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，在对第一金属层进行刻蚀的过程中，控制第一金属层表面的粗糙度达到粗糙度阈值，该粗糙度达到粗糙度阈值时可以使第一金属层与第二金属层(第二金属层为AL层，且金属AL的流动性不强)的结合力达到最优，避免在芯片封装过程中因两金属层之间结合力欠佳造成的芯片报废，提升芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN113644114A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110845637.0
申请日：2021-07-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。
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公开(公告)号：CN113053847A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN112768503A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002701.8
申请日：2019-10-21
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L49/02
摘要： 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。
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公开(公告)号：CN111106168B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811259338.3
申请日：2018-10-26
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN113078135A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010009743.0
申请日：2020-01-06
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
摘要： 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN114975128A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495
摘要： 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN112768503B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201911002701.8
申请日：2019-10-21
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L49/02
摘要： 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。
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