公开(公告)号：CN113394204A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010166471.5

申请日：2020-03-11

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 苏梨梨 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  史波 ,  马浩华

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。

公开(公告)号：CN113140456A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010060417.2

申请日：2020-01-19

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 刘勇强 ,  曾丹 ,  江伟 ,  敖利波 ,  史波

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L29/739

摘要： 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。

公开(公告)号：CN113097076A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010022416.9

申请日：2020-01-09

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 黄玲 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

摘要： 本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种QFN框架结构、一种QFN封装结构以及它们的制作方法。QFN框架结构的制作方法包括：对基板背面焊盘以外的区域进行半蚀刻，形成凹陷的半蚀刻区；封装半蚀刻区形成第一封装体；对基板正面焊盘以外的区域进行全蚀刻，形成凹陷的全蚀刻区，制得QFN框架结构。QFN封装结构的制作方法包括：在QFN框架结构上进行半导体器件装配和打线；对QFN框架结构进行封装形成第二封装体，第二封装体包埋QFN框架结构的正面。采用“半蚀刻—封装—全蚀刻‑封装”的工艺方法可解决焊盘不可悬空的问题，无需将焊盘引出至框架结构四周即可以实现支撑，从而可降低QFN器件的面积及焊盘布局的难度。

公开(公告)号：CN111163585A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010026505.0

申请日：2020-01-10

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 张宏强 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC分类号： H05K1/18 ,  H01L23/473

摘要： 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN111081662A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911398441.0

申请日：2019-12-30

申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

发明人： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  王华辉 ,  陈治中

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及电子技术领域，公开一种芯片模块、电子模组及制备方法，一种芯片模块，包括：散热器、芯片和封装体；其中，散热器包括安装底座和散热部，安装底座具有安装面，散热部与安装底座背离安装面的表面连接；芯片固定安装于安装面，芯片远离安装面的表面具有多个电极，每个电极连接有引出部件；封装体包覆芯片和安装底座，其中，散热部延伸至封装体外，每个引出部件延伸至封装体外。上述芯片模块以散热器中安装底座作为芯片的载体，并利用封装体将芯片和安装底座封装为一个整体，芯片与散热器的安装底座之间始终保持良好的热接触，散热较好，且组装至电路板时操作简单快捷。

公开(公告)号：CN110784097A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911221560.9

申请日：2019-12-03

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 张宏强 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC分类号： H02M1/08 ,  H03K17/567

摘要： 本公开提供了一种驱动器及智能功率模块，包括输出端，用于输出驱动功率模块的驱动信号；可调电阻，第一端连接所述输出端，第二端连接功率模块的控制端，第三端接收外部输入的调节信号所述可调电阻根据所述调节信号改变阻值进而调节所述功率模块控制端的阻值。上述结构极大的增大了驱动器与功率模块之间的参数匹配，能够控制智能功率模块的开关速率，解决了应用端EMC、开关损耗及模块发热的问题等。

公开(公告)号：CN113140456B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010060417.2

申请日：2020-01-19

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 刘勇强 ,  曾丹 ,  江伟 ,  敖利波 ,  史波

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L29/739

摘要： 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。

公开(公告)号：CN111834336B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910321865.0

申请日：2019-04-22

申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

发明人： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  陈兆同 ,  陈道坤

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/16

摘要： 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。

公开(公告)号：CN113451397A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010212618.X

申请日：2020-03-24

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 赵浩宇 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  史波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提出了一种RC‑IGBT器件制备方法，包括以下步骤：提供具备正面元胞结构的RC‑IGBT硅基，并将RC‑IGBT硅基的背面减薄至所需厚度；对上述减薄后的RC‑IGBT硅基背面生长SiC层，并注入P型杂质离子形成P型掺杂区域；向上述RC‑IGBT硅基背面注入N型杂质离子形成N型掺杂区域；将上述RC‑IGBT硅基背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。本发明还提供了该方法制备的RC‑IGBT器件，本发明中将器件背面替换成碳化硅并掺杂P型杂质离子形成P型掺杂区域，首先N型掺杂区域扩散程度比较好，其次抑制了载流子在N型掺杂区域中的流动从而控制其寿命，达到消除电压回折的现象，优化了其反向回复特性。

公开(公告)号：CN113299732A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010111560.X

申请日：2020-02-24

申请人： 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

发明人： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。