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公开(公告)号：CN113363330B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010151123.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。
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公开(公告)号：CN113497158B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010266554.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111504477A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010374872.X
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。
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公开(公告)号：CN114220854B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111564339.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。
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公开(公告)号：CN114122150A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010864533.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/328
Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644114A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110845637.0
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。
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公开(公告)号：CN114220781A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111582705.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN114122152A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010904608.2
申请日：2020-09-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。
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公开(公告)号：CN114242762B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010940924.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H10D62/10 , H10D62/832 , H10D8/60 , H10D8/01
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN114122150B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010864533.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/328
Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。
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