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公开(公告)号：CN113053847B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN116203371A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310036588.5
申请日：2023-01-10
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人： 吴佳蒙
摘要： 本申请实施例提供了一种功率器件的筛选方法、装置、电子设备及存储介质，包括：通过获取功率器件在晶圆封装后通过静态电流进行检测的测试结果，基于测试结果确定功率器件满足预设质量要求时，根据生产质量需求调整静态电流，基于调整后的静态电流对功率器件进行检测，以筛选得到目标功率器件，以降低产品质量风险和提高器件普遍的使用寿命，准确定位功率器件异常原因。
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公开(公告)号：CN115132596A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210781089.4
申请日：2022-07-04
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请提供了一种芯片的封装方法和封装结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、芯片结构以及金属层，其中，芯片结构位于衬底第一表面上，金属层位于衬底的第二表面上，第一表面与第二表面相对；在金属层远离衬底的表面上形成第一导电胶层，得到目标晶圆；对目标晶圆进行切割以及封装。该方法通过在衬底第二表面的金属层上形成第一导电胶层，可以增加目标晶圆的厚度，减小金属层的应力，因此，降低晶圆因太薄切割裂片的风险以及运输时容易碎片的风险，进而解决了现有技术中晶圆切割和运输过程中容易出现裂片或碎片的问题。
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公开(公告)号：CN113053847A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN113640644B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN114388385A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN113740693A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988238.X
申请日：2021-08-26
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113764293A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110989720.5
申请日：2021-08-26
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取到待上芯的目标晶圆和目标晶圆的晶圆图，其中，晶圆图包括有目标晶圆中的芯片的标志；根据晶圆图中的特殊芯片标志和/或边缘芯片标志将目标晶圆和晶圆图对齐；在对齐目标晶圆和晶圆图后，根据晶圆图中的良品芯片标志封装目标晶圆中的良品芯片。本发明解决了晶圆上芯准确度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113690195A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111088688.X
申请日：2021-09-16
申请人： 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L21/48 , H01L23/367
摘要： 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，提供了一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法，该所述框架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有安装部，安装部的第三表面与待安装件连接，第一表面和第三表面之间存在第一方向上的间距，且安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距。本发明提供了一种通过第一表面和第三表面之间在第一方向上间距的设置，限制焊料的位置，将待安装件安装于第三表面时多余的焊料会朝向远离待安装件的侧边运动，通过安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距，使得待安装件安装后其周侧不会与其他部件相接触，改善了在框架上安装待安装件时发生的爬胶和溢胶的现象，提高器件封装良率。
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