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公开(公告)号：CN110970375B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN111128981B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010010609.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。
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公开(公告)号：CN111128981A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010010609.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。
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公开(公告)号：CN110911376A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811076664.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片封装件及其制造方法，该封装件包括一个引线框架、设置在该引线框架上的一个芯片衬垫、设置在上述芯片衬垫上的一个半导体芯片，其中，该半导体芯片与引线框架通过芯片衬垫电连接。并且，上述芯片衬垫的热膨胀系数大于半导体芯片的热膨胀系数而小于引线框架的热膨胀系数。通过在引线框架与半导体芯片之间设置一芯片衬垫，且该芯片衬垫的热膨胀系数大于半导体芯片的热膨胀系数而小于引线框架的热膨胀系数，缓解半导体芯片内部应力较大问题，减缓半导体芯片内部晶胞损伤程度，改善半导体芯片翘曲出现能带弯曲，提高半导体芯片封装器件的可靠性能。
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公开(公告)号：CN110469919A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910668261.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中，功率器件的散热装置包括：固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件，所述控制板与所述固定件连接；通过调整所述固定件与所述控制板的距离，调整所述控制板与所述散热组件之间的距离，以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本发明通过设置的固定件连接控制板，固定件对控制板首先有一个加固的作用，另外固定件与控制板之间的距离可调节，从而调节控制板与所述散热组件之间的距离，保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触，提升功率器件的散热性能，保证功率装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345874B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010135151.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块、封装结构及封装结构的制备方法，该智能功率模块包括驱动电路以及与驱动电路连接且受驱动电路驱动的多个桥臂，其中，每个桥臂均包括串联连接的上桥臂开关管和下桥臂开关管，每个桥臂中的下桥臂开关管的发射极，均与驱动电路中驱动下桥臂开关管的驱动芯片的共地端连接。该智能功率模块中驱动信号加到各个下桥臂开关管的路线不共用大电流线路，从而可以大大降低电流剧烈变化时对各个下桥臂开关管的控制端电压的影响，降低开关损耗，使得智能功率模块的开关速度加快，同时消除各个下桥臂开关管产生的噪音及延迟。
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公开(公告)号：CN113394204B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN111163595A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010006235.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K3/34 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装方法，该芯片封装方法包括：形成预结合组件，其中，预结合组件包括引线框架母体和多个芯片，引线框架母体包括多个引线框架单元，每个引线框架单元周围形成有容纳凹陷，容纳凹陷内填充有第一结合材；多个芯片一一对应地固定于多个引线框架单元的安装面，其中，每个芯片通过导线与对应的引线框架单元上的触点键合；在引线框架母体安装面形成封装体，其中，封装体包括多个封装单元，每个封装单元覆盖一个芯片；沿每个容纳凹陷中第一结合材的中部切割；每个引线框架的侧面遗留有第一结合材的部分结构，有利于降低引线框架与电路板的焊接难度，并提高焊接结合强度。
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公开(公告)号：CN111162057A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010008279.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。
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