公开(公告)号：CN117210801A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311002994.6

申请日：2023-08-08

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 江仲开 ,  陈珍 ,  高标

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供第一晶圆；通过调节等离子体增强化学气相沉积过程中的工艺参数，在所述第一晶圆上形成具有第一固定厚度以及第一弯曲度调节能力的第一材料层，使得所述第一晶圆的第一弯曲度的绝对值小于等于第一预设值得到具有第一弯曲度的第一晶圆。

公开(公告)号：CN119252798B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411777712.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  江仲开 ,  王一鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。

公开(公告)号：CN117371171A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311125674.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 陈珍 ,  谢冬 ,  姜玉丽 ,  江仲开

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。

公开(公告)号：CN119761127A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411891660.3

申请日：2024-12-20

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 陈翀一 ,  刘淑娟 ,  彭昊阳 ,  江仲开

IPC: G06F30/23

Abstract: 本公开提供一种半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质，其中，半导体结构的设计方法包括：调整代表性体积元内的金属线的布线方式，以获取具有不同的金属线布线方式的多个代表性体积元；对多个代表性体积元建立多个第一有限元仿真模型，并分别获取多个第一有限元仿真模型的等效材料性能；分别基于多个第一有限元仿真模型的等效材料性能以及衬底的材料性能，对待设计的半导体结构建立多个第二有限元仿真模型，并模拟多个第二有限元仿真模型在热处理过程中以及经历热处理过程后的翘曲变形情况。

公开(公告)号：CN119252798A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411777712.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  江仲开 ,  王一鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。

公开(公告)号：CN119852157A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510004376.8

申请日：2025-01-02

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 王一鸣 ,  江仲开 ,  彭昊阳 ,  王锦驰

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开实施例公开了一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法，等离子体处理装置包括：反应腔；载台，位于反应腔的底部，用于承载晶片；聚焦环，位于反应腔内并围绕载台设置；可变电阻层，覆盖聚焦环的下表面，可变电阻层的电阻是可调的。

公开(公告)号：CN117371171B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311125674.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 陈珍 ,  谢冬 ,  姜玉丽 ,  江仲开

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。

公开(公告)号：CN117174660A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311131082.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 陈珍 ,  谢冬 ,  姜玉丽 ,  江仲开

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括器件区以及合围所述器件区的密封环；所述密封环包括：多层链状金属环；所述链状金属环包括间隔交替排布的第一金属图案和第二金属图案；在所述链状金属环的任意一条边上，所述第一金属图案与所述第二金属图案均沿第一方向延伸，且所述第二金属图案沿所述第一方向延伸至所述第一金属图案的内部；所述第一金属图案与相邻的所述第二金属图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的投影部分重叠；所述第一方向以及所述第二方向垂直于厚度方向；多个金属过孔，连接于相邻两层所述链状金属环之间。