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公开(公告)号：CN119471903A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411532198.8
申请日：2024-10-30
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种端面耦合器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述端面耦合器包括：硅衬底层、二氧化硅包层和波导层；所述硅衬底层，包括：硅层和设置于所述硅层之上的埋氧层；所述二氧化硅包层，设置于所述埋氧层之上；所述波导层，设置端面耦合器于所述二氧化硅包层的水平中心；所述波导层，还包括：波导和二段式反向锥形端面耦合结构；其中，所述二段式反向锥形端面耦合结构包括：第一段反向锥形结构和第二段反向锥形结构；所述第一段反向锥形结构的宽端与所述波导相连，尖端与所述第二段反向锥形结构的宽端相连。通过本发明提供的方法，实现波导与光纤的高效耦合，同时确保了其在大批量制备上的可行性。
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公开(公告)号：CN119395812A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411561437.2
申请日：2024-11-04
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及微纳光电子芯片技术领域，尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括：铌酸锂、包层、衬底和金属层；包层设于衬底上，且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露，铌酸锂的另一端嵌入包层的内部，金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口，波导与铌酸锂暴露的一端耦合，包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法，针对耦合条件进行了设计，由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部，这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收，而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱，能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。
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公开(公告)号：CN119247621A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411462252.6
申请日：2024-10-18
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学滤波系统、集成双光子量子光源的集成芯片，所述光学滤波系统包括窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器，其中，由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子，或者由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过周期性窄带带通滤波器、窄带带阻滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子。实现了能够集成在芯片上且能够高效、精确将信号光子和闲频光子分开输出。
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公开(公告)号：CN115404552A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，代表反应物析出速度和沉积速度的比值，代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN119674703B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510188800.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，阵列激光芯片的制备方法包括：生成衬底；其中，衬底对稀土增益材料的增益谱线波段内的光透明；基于衬底，利用电子束光刻技术，刻蚀得到多个光子晶体微腔；其中，多个光子晶体微腔中，至少一个光子晶体微腔的谐振模式与其他光子晶体微腔不同；利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个光子晶体微腔的表面，在每一个光子晶体微腔的表面形成稀土增益材料层。本发明可以有效利用稀土增益材料的光学性质，提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115404552B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持h/hA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN115167015A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210793132.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种波导调制器以及波导调制器制备方法，其中，所述波导调制器包括：第一波导层、第二波导层和铌酸锂层；其中，所述铌酸锂层键合设置于所述第一波导层和所述第二波导层之间。通过本发明提供的波导调制器，可以具有低半波电压‑长度积、高调制速率、低插入损耗的光场相位调控性能。
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公开(公告)号：CN103728692A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN119674683A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510188802.8
申请日：2025-02-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，多波长激光芯片包括：多个激光单元，每一个激光单元包括：微型光学谐振腔；耦合在微型光学谐振腔表面的稀土增益材料层；其中，微型光学谐振腔的谐振模式与稀土增益材料层的光学增益谱线中的一种预设波长匹配；其中，当泵浦光照射到任一激光单元的稀土增益材料层时，激光单元的稀土增益材料层发射出宽谱荧光，宽谱荧光中，与激光单元的微型光学谐振腔的谐振模式匹配的预设波长的荧光，在激光单元的微型光学谐振腔的谐振和选模作用下，被加强产生预设波长的激光。本发明可以提供一种高性能、高稳定性的1.5μm纳米多波长激光芯片。
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