一种端面耦合器及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119471903A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411532198.8

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明提供一种端面耦合器及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,所述端面耦合器包括:硅衬底层、二氧化硅包层和波导层;所述硅衬底层,包括:硅层和设置于所述硅层之上的埋氧层;所述二氧化硅包层,设置于所述埋氧层之上;所述波导层,设置端面耦合器于所述二氧化硅包层的水平中心;所述波导层,还包括:波导和二段式反向锥形端面耦合结构;其中,所述二段式反向锥形端面耦合结构包括:第一段反向锥形结构和第二段反向锥形结构;所述第一段反向锥形结构的宽端与所述波导相连,尖端与所述第二段反向锥形结构的宽端相连。通过本发明提供的方法,实现波导与光纤的高效耦合,同时确保了其在大批量制备上的可行性。

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