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公开(公告)号：CN117930559A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410045373.4
申请日：2024-01-11
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及量子技术领域，提供一种纠缠量子光源的非线性波导及其生成方法。纠缠量子光源的非线性波导包括波导前端，包括芯片和窄带带通滤波器，窄带带通滤波器集成于芯片；波导主体，设置于芯片且位于波导前端的下游，且波导主体用于基于经过窄带带通滤波器处理过的光源生成纠缠光子对的非线性光学波导。该纠缠量子光源的非线性波导能够使得窄带带通滤波器的滤波通带与纠缠光子对的输出波长范围不交叠；能够去除泵浦激光在进入芯片之前的传输过程中产生的噪声光子影响。而后泵浦激光输入到非线性光学波导中，波导主体能够通过自发四波混频或自发参量下转换产生纠缠光子对的非线性光学波导。
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公开(公告)号：CN119471903A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411532198.8
申请日：2024-10-30
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种端面耦合器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述端面耦合器包括：硅衬底层、二氧化硅包层和波导层；所述硅衬底层，包括：硅层和设置于所述硅层之上的埋氧层；所述二氧化硅包层，设置于所述埋氧层之上；所述波导层，设置端面耦合器于所述二氧化硅包层的水平中心；所述波导层，还包括：波导和二段式反向锥形端面耦合结构；其中，所述二段式反向锥形端面耦合结构包括：第一段反向锥形结构和第二段反向锥形结构；所述第一段反向锥形结构的宽端与所述波导相连，尖端与所述第二段反向锥形结构的宽端相连。通过本发明提供的方法，实现波导与光纤的高效耦合，同时确保了其在大批量制备上的可行性。
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公开(公告)号：CN119395812A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411561437.2
申请日：2024-11-04
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及微纳光电子芯片技术领域，尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括：铌酸锂、包层、衬底和金属层；包层设于衬底上，且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露，铌酸锂的另一端嵌入包层的内部，金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口，波导与铌酸锂暴露的一端耦合，包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法，针对耦合条件进行了设计，由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部，这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收，而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱，能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。
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公开(公告)号：CN119995733A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510117331.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
IPC: H04B10/70
Abstract: 本发明提供一种光通信波段的芯片集成偏振纠缠量子光源及实现方法，量子光源包括集成在同一芯片上依次连接的关联双光子态产生单元和偏振叠加单元；偏振叠加单元包括光开关和两个偏振旋转‑合束器；关联双光子态产生单元产生关联双光子态；关联双光子态包括第一信号光子波包的偏振态、第二信号光子波包的偏振态、第一闲频光子波包的偏振态和第二闲频光子波包的偏振态；第一偏振旋转‑合束器将第二信号光子波包的偏振态旋转后与第一信号光子波包的偏振态进行正交偏振叠加；光开关基于自身工作状态确定选中偏振态；第二偏振旋转‑合束器将选中偏振态旋转后与未选中偏振态进行正交偏振叠加。本发明通过片上的光电调控实现四个偏振纠缠态的产生。
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公开(公告)号：CN119247621A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411462252.6
申请日：2024-10-18
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学滤波系统、集成双光子量子光源的集成芯片，所述光学滤波系统包括窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器，其中，由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子，或者由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过周期性窄带带通滤波器、窄带带阻滤波器，以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子。实现了能够集成在芯片上且能够高效、精确将信号光子和闲频光子分开输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118276204A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211718054.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 清华大学 , 北京与光科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种光调制微纳结构及其加工方法、光谱成像设备，涉及光谱设备技术领域。本发明提供的光调制微纳结构，包括依次层叠设置的光调制层、图像传感器层和信号处理电路层，光调制层上分布有多个微纳结构阵列单元，每个微纳结构阵列单元中分布有若干个无规则排布的光调制孔。应用本发明提供的光调制微纳结构，可以提高不同微纳结构阵列单元之间光谱调制的差异性，实现丰富的光谱调制效果，提高光谱恢复精度，减小光谱器件的体积与成本。
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公开(公告)号：CN118158507A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410159512.6
申请日：2019-07-31
Applicant: 清华大学
IPC: H04N23/54 , H04N23/55 , H04B10/54 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及成像及物体识别设备技术领域，尤其涉及一种图像采集芯片、物体成像识别设备及物体成像识别方法。该芯片的各组像素确认模块中，每个调制单元和每个感应单元分别上下对应的设置在光调制层和图像传感层上，每个调制单元内分别设有至少一个调制子单元，每个调制子单元内分别设有若干个穿于光调制层内的调制孔，同一调制子单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。该芯片基于光电子学中的调制单元阵列对不同波长光的调制作用，且能同时采集多个光谱的图像信息，克服了现有物体成像识别设备价格昂贵且无法小型化的问题。
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公开(公告)号：CN117574696A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311331473.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及微纳光学及超表面技术领域，提供一种基于矩形柱超原子组合的超表面设计方法及系统，其中方法包括：基于待设计超表面和预设超像素的尺寸信息，将待设计超表面划分为若干预设超像素，预设超像素为由预设数量的预选矩形柱超原子排列成的结构；基于目标琼斯矩阵和预设超像素的琼斯矩阵计算函数，确定组成待设计超表面的各预设超像素的预选矩形柱超原子的设计参数，目标琼斯矩阵为基于待设计超表面的功能需求确定的与各预设超像素对应的待设计超表面的不同位置处的琼斯矩阵，琼斯矩阵计算函数为对预设超像素的各预选矩形柱超原子的琼斯矩阵取平均的计算公式。本发明用以解决现有技术中无法对琼斯矩阵为非酉矩阵的超表面进行设计的缺陷。
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公开(公告)号：CN117456018A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210872193.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 清华大学 , 北京与光科技有限公司
IPC: G06T11/00 , G06T5/70 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06T5/60
Abstract: 本申请提供一种光谱图像的重建方法及装置，其中的方法包括：获取成像物体的测量图像；根据测量图像和预先标定出的传感矩阵，重建得到成像物体的光谱图像；其中，光谱图像包含成像物体的不同位置点的光谱信息。该方法克服了现有技术中光谱图像重建方法耗时长，且得到的光谱图像分辨率低的缺陷，能够快速地重建目标成像物体的光谱图像，并且重建得到的光谱图像空间分辨率高，不存在马赛克特征。
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