基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN119395812A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411561437.2

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明涉及微纳光电子芯片技术领域,尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括:铌酸锂、包层、衬底和金属层;包层设于衬底上,且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露,铌酸锂的另一端嵌入包层的内部,金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口,波导与铌酸锂暴露的一端耦合,包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法,针对耦合条件进行了设计,由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部,这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收,而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱,能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。

    纠缠量子光源的非线性波导及其生成方法

    公开(公告)号:CN117930559A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410045373.4

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明涉及量子技术领域,提供一种纠缠量子光源的非线性波导及其生成方法。纠缠量子光源的非线性波导包括波导前端,包括芯片和窄带带通滤波器,窄带带通滤波器集成于芯片;波导主体,设置于芯片且位于波导前端的下游,且波导主体用于基于经过窄带带通滤波器处理过的光源生成纠缠光子对的非线性光学波导。该纠缠量子光源的非线性波导能够使得窄带带通滤波器的滤波通带与纠缠光子对的输出波长范围不交叠;能够去除泵浦激光在进入芯片之前的传输过程中产生的噪声光子影响。而后泵浦激光输入到非线性光学波导中,波导主体能够通过自发四波混频或自发参量下转换产生纠缠光子对的非线性光学波导。

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