光学系统、数据处理方法和计算系统

    公开(公告)号:CN118821880A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202310442524.5

    申请日:2023-04-21

    IPC分类号: G06N3/067 G06N3/0464 G06N3/08

    摘要: 本申请提供一种光学系统、数据处理方法和计算系统,涉及光学技术领域,其中,光学系统包括:依次光连接的光源模块、光调制模块、光延时模块、非线性光学模块和光探测模块,光调制模块可以将待处理的多个信号数据序列调制到光源模块输出的多路光载波信号上,输出多路调制光信号;光延时模块可以对每路调制光信号进行分光和延时,输出延时光信号,实现NGRC的线性升维过程;非线性光学模块可以基于非线性光学效应将各延时光信号转换成多束目标光信号,实现NGRC的非线性映射过程;光探测模块可以解调各目标光信号对应的目标信号数据。本申请提供的技术方案可以降低储备池计算系统的功耗,提高储备池计算系统的计算速度。

    基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机

    公开(公告)号:CN113722667B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202110797381.0

    申请日:2021-07-14

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G06F17/16

    摘要: 本发明提供了一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机,该方法包括:对自旋组态进行循环更新,将更新后的自旋组态调制到高斯光束的相位上,获得输入矩阵;根据输入矩阵与变换矩阵获得输出矩阵;根据输出矩阵确定当前采样轮次的输出光强,根据输出光强和模型特征值矩阵确定哈密顿量,根据哈密顿量确定采样结果,并在确定末轮采样时,使末轮采样对应的自旋组态作为数据处理结果。本发明提供的一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机,能够将伊辛模型的数据处理过程在光束上完成,并能够实现由光信号到电信号的转换,具有以光速进行信息的并行处理的能力,可以极大提高求解伊辛问题的速率。

    转炉炼钢终点控制方法、系统、装置、设备、介质及产品

    公开(公告)号:CN116240328B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202111468068.9

    申请日:2021-12-03

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明提供一种转炉炼钢终点控制方法、系统、装置、设备、介质及产品,方法包括:获取当前时刻转炉炉口对应的至少一张光谱图像;分别提取每张所述光谱图像中的目标图像区域,将所述目标图像区域作为目标光谱图像;对所述目标光谱图像进行降维处理,得到待处理光谱图像;将所述待处理光谱图像输入预测模型,得到通过所述预测模型输出的转炉钢水温度和转炉碳含量;当确定所述转炉钢水温度和所述转炉碳含量达到预设范围时,生成停止冶炼指令。本发明用以解决现有技术中通过人工经验判定转炉内的转炉钢水温度和转炉碳含量来停止炼钢,导致准确率低的缺陷。

    柔性可控聚焦超声治疗装置

    公开(公告)号:CN118142106B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410567687.0

    申请日:2024-05-09

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: A61N7/02 A61N7/00

    摘要: 本申请属于超声波治疗领域,提出一种柔性可控聚焦超声治疗装置,包括:多个压电模块,压电模块用于发射超声波;多个作动模块,多个作动模块分别连接于压电模块,作动模块能够执行机械动作,使压电模块改变空间角度,以调节压电模块的超声波发射方向;控制模块,控制模块与压电模块和作动模块连接,以控制压电模块发射超声波,和控制作动模块的动作;以及电源模块,电源模块用于为压电模块、作动模块和控制模块供电;柔性互联导线,柔性互联导线连接压电模块、控制模块、电源模块和作动模块,用于能量及信号传输;柔性封装层,至少压电模块和柔性互联导线封装于柔性封装层的内部。

    基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源

    公开(公告)号:CN114552332B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202210051327.6

    申请日:2022-01-17

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01S1/02

    摘要: 本发明提供一种基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源,包括天然双曲材料层和片上自由电子发射源,片上自由电子发射源包括片上电子源阴极和片上电子源阳极。如此通过片上自由电子发射源产生稳定电子束,激励天然双曲材料中的红外切伦科夫辐射。由于天然双曲材料成本低廉,易于获得,制备工艺简单,相较于人工双曲超材料具有显著优势。同时天然双曲材料易于生长且稳定性好缺陷少,可以规避由于材料加工工艺精度给器件性能带来的影响。而且基于天然介质材料,本征损耗更低,使得相应器件辐射功率更大、效率更高且发热更小。此外基于天然晶体材料,容易实现版图化和阵列化,为大功率阵列集成化自由电子光源提供了可能方案。

    水果品质检测方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118298419A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202310015099.1

    申请日:2023-01-05

    摘要: 本发明提供一种水果品质检测方法、装置、电子设备及存储介质,应用于水果图像采集模组,其中,水果图像采集模组包括微纳结构调制层和图像传感器层,微纳结构调制层包括多个微纳结构单元,所述方法包括:获取基于水果图像采集模组采集的待检测水果的待处理图像,其中,待处理图像为基于微纳结构调制层对待检测水果反射出的光信息进行调制得到调制后光信息,并基于图像传感器层对调制后光信息进行处理而形成的灰度值图像;基于坐标位置和待处理图像中各个像素点的灰度值,确定与微纳结构单元对应的特征值;将特征值输入至水果品质检测模型得到水果品质检测结果。实现了低成本、无损且高精度得对水果品质进行检测。

    柔性天线阵及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118281547A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211736472.4

    申请日:2022-12-30

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q21/00

    摘要: 本申请提供了一种柔性天线阵及其制备方法。其中,柔性天线阵包括三维柔性介质基板、多个微带阵元、馈电网络和天线地面,三维柔性介质基板包括底层薄膜层和位于底层薄膜层的第一侧面的多个台阶结构,底层薄膜层和多个台阶结构为一体成型结构;多个微带阵元分别设置在多个台阶结构上;馈电网络设置在底层薄膜层的第一侧面上,馈电网络电连接多个微带阵元;天线地面设置在底层薄膜层的第二侧面上。本申请实施例的柔性天线阵采用三维柔性结构的三维柔性介质基板,通过底层薄膜层和台阶结构的三维结构设计,在不影响天线阵的辐射特性的情况下,提高天线阵的柔性,有利于天线阵的曲面共形和重量减轻。

    一种耐腐蚀柔性电子器件封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118280932A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211733730.3

    申请日:2022-12-30

    发明人: 冯雪 刘兰兰 陈颖

    IPC分类号: H01L23/31 H01L23/29 H01L21/56

    摘要: 本发明提供了一种耐腐蚀柔性电子器件封装结构及其制备方法,属于柔性电子器件领域。所述封装结构包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第一封装层包括有机化合物材料,所述第二封装层包括无机氧化物材料,所述第三封装层包括含氟聚合物材料,所述有机化合物材料包括派瑞林、聚酰亚胺或聚四氟乙烯中的至少一种,所述无机氧化物材料包括三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、氧化锆或氧化锌中的至少一种,所述含氟聚合物材料包括聚偏氟乙烯、全氟(1‑丁烯基乙烯基醚)聚合物或全氟烷氧基树脂中的至少一种。所述封装结构具有良好的柔性、水氧阻隔能力、耐有机溶剂腐蚀性能和耐酸碱腐蚀性能,适用于柔性电子器件的封装。

    一种柔性电子器件封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118280931A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211733708.9

    申请日:2022-12-30

    发明人: 冯雪 刘兰兰 陈颖

    摘要: 本发明提供了一种柔性电子器件封装结构及其制备方法,属于柔性电子器件技术领域。所述封装结构包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层包括第一有机化合物层,所述第一有机化合物层上设置有多个第一空洞,所述第一空洞内设置有第一无机氧化物层,所述第二封装层包括第二无机氧化物层,所述第二无机氧化物层上设置有多个第二空洞,所述第二空洞内设置有第二有机化合物层,所述第一空洞和所述第二空洞上下对应且所述第一空洞位于所述第二空洞内。所述封装结构能够有效减小无机氧化物层的应力集中,增加封装层在柔性电子器件弯曲变形时的有效性,实现柔性电子器件的长时间密封。

    半导体漂移层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118263304A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202211679962.5

    申请日:2022-12-27

    摘要: 本发明涉及一种半导体漂移层及其制备方法和应用。所述用于场效应晶体管的半导体漂移层,包括镓基半导体层以及包埋在所述镓基半导体层内部的导热埋层;其中,在水平方向上,所述镓基半导体层具有相互平行的第一表面和第二表面,所述导热埋层与所述第一表面之间的距离d1为100nm‑300nm,所述导热埋层在水平方向上的长度大于或者等于1μm。所述半导体漂移层能够有效解决近结散热问题,提高了场效应晶体管的热击穿温度和耐击穿能力,从而提升了功率和效率,尤其适用于HEMT器件的高效散热。