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公开(公告)号:CN118280932A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211733730.3
申请日:2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种耐腐蚀柔性电子器件封装结构及其制备方法,属于柔性电子器件领域。所述封装结构包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第一封装层包括有机化合物材料,所述第二封装层包括无机氧化物材料,所述第三封装层包括含氟聚合物材料,所述有机化合物材料包括派瑞林、聚酰亚胺或聚四氟乙烯中的至少一种,所述无机氧化物材料包括三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、氧化锆或氧化锌中的至少一种,所述含氟聚合物材料包括聚偏氟乙烯、全氟(1‑丁烯基乙烯基醚)聚合物或全氟烷氧基树脂中的至少一种。所述封装结构具有良好的柔性、水氧阻隔能力、耐有机溶剂腐蚀性能和耐酸碱腐蚀性能,适用于柔性电子器件的封装。
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公开(公告)号:CN118280931A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211733708.9
申请日:2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性电子器件封装结构及其制备方法,属于柔性电子器件技术领域。所述封装结构包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层包括第一有机化合物层,所述第一有机化合物层上设置有多个第一空洞,所述第一空洞内设置有第一无机氧化物层,所述第二封装层包括第二无机氧化物层,所述第二无机氧化物层上设置有多个第二空洞,所述第二空洞内设置有第二有机化合物层,所述第一空洞和所述第二空洞上下对应且所述第一空洞位于所述第二空洞内。所述封装结构能够有效减小无机氧化物层的应力集中,增加封装层在柔性电子器件弯曲变形时的有效性,实现柔性电子器件的长时间密封。
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公开(公告)号:CN110557902B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN201810552110.7
申请日:2018-05-31
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种激光转印装置及方法,所述装置包括:激光器、扩束器、分光镜以及聚焦模块;所述激光器用于产生激光束;所述扩束器设置在所述激光器产生的激光束的光路上,用于将激光器产生的激光束扩束;所述分光镜设置在所述扩束器扩束后的激光束的光路上,用于使扩束后的激光束经过反射后进入所述聚焦模块;所述聚焦模块设置在所述分光镜反射后的激光束的光路上,用于对激光束进行聚焦并将聚焦后的激光束投射至预定转印加工位置。利用聚焦后的激光束进行转印,激光束照射面积减小,减小了热扩散的范围,进一步的减小了对周边其他器件的影响,实现了高精度的选择性转印。
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公开(公告)号:CN111072849B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201911367818.6
申请日:2019-12-26
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: C08F220/56 , C08F220/06 , C08F220/54 , C08K3/16 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K5/07 , C08K3/30 , C08K5/55 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种功能凝胶的制备方法,包括制备包括羧基基团的基材,将含有第一功能填料的第二混合液渗透入所述基材的内部,以使所述第一功能填料与所述基材的羧基基团形成化学键,进而所述第一功能填料与至少部分所述基材形成功能元件,所述功能元件的杨氏模量与所述基材的杨氏模量之比为(3~20):1。本发明通过第一功能填料与至少部分所述基材之间形成化学键,使所述第一功能填料与相邻的至少部分所述基材之间具有强烈的相互吸引作用并形成功能元件,功能元件处的局部作用力得到增强,从而得到具有稳定界面结构且能实现抗拉伸的功能凝胶。本发明还提供由该制备方法制得的功能凝胶及其应用。
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公开(公告)号:CN115791592A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202111054905.3
申请日:2021-09-09
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: G01N19/00
Abstract: 本发明提供一种压电系数测量设备,包括测试台、调节组件、至少一个第一测量压头、至少一个第二测量压头及至少一个压力传感器,调节组件设置于测试台,第一测量压头连接于调节组件,第二测量压头固设于测试台并与第一测量压头相对设置,调节组件用于调节第一测量压头与第二测量压头之间的距离,压力传感器与第一测量压头相连,压力传感器用于测试第一测量压头受到的压力。本发明提供的压电系数测量设备能够通过压力传感器精确监测第一测量压头所受的压力,进而及时调整调节组件,避免第一测量压头继续向第二测量压头移动,降低误差,提高测量结果的准确性,同时保护了待测件的完整性,避免材料出现损坏。
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公开(公告)号:CN112614933B
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202011375263.2
申请日:2020-11-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L41/45 , H01L41/293 , H01L41/317 , H01L41/193 , D06M11/83 , C23C18/16 , C23C18/20 , C23C18/38 , D04H1/4318 , D04H1/728 , D04H3/007 , D04H3/02 , D04H13/00 , D06M101/22
Abstract: 一种PVDF压电材料的制备方法及PVDF压电材料,该方法包括如下步骤:S1:制备PVDF原溶液,以及制备带电荷的改性分子与PVDF的混合溶液;S2:使PVDF原溶液形成第一PVDF层,使带电荷的改性分子与PVDF的混合溶液形成第二PVDF层及第三PVDF层,并使第二PVDF层及第三PVDF层分别位于第一PVDF层的两个表面上,以形成PVDF材料基体,在形成PVDF基体时,使第二PVDF层及第三PVDF层内的改性分子与PVDF形成带电荷的交联网络;S3:在第二PVDF层及第三PVDF层上施加带有电荷的电极催化剂溶液,电极催化剂溶液所带电荷的种类与改性分子及PVDF的混合溶液中的电荷的种类相反;S4:对施加有带电荷的催化剂溶液的PVDF材料基体进行化学镀处理,以使第二PVDF层及第三PVDF层上形成电极。该PVDF压电材料的两个电极间能够具有较好地信号传输性能。
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公开(公告)号:CN110526202B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201810517115.6
申请日:2018-05-25
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及柔性硅片的制备方法,包括步骤:提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层;在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构;采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄,且减薄效率高,成品率高。
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公开(公告)号:CN110526201B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201810517102.9
申请日:2018-05-25
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及柔性硅片的制备方法,包括步骤:提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;在所述硅片的所述侧面上形成抗刻蚀层;在所述硅片的所述第一表面上和所述第二表面上刻蚀形成微结构;采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄,且减薄效率高,成品率高。
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公开(公告)号:CN114334227A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202011042202.4
申请日:2020-09-28
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01B7/00 , H01B7/02 , H01B7/04 , H01B7/06 , H01B7/17 , H01B11/00 , H01B13/00 , H01B13/06 , H01B13/22
Abstract: 本发明公开了一种柔性可拉伸自愈合屏蔽导线,由内至外依次包括柔性导电层、柔性内绝缘层、柔性屏蔽层和柔性外绝缘层,所述柔性屏蔽层包括:1‑20%的第一导电组分;3‑10%的第二导电组分;60‑94%的树脂和3‑10%的交联剂。本发明的柔性可拉伸自愈合屏蔽导线能够提高抗电磁干扰能力,具有柔性可拉伸性能,并且屏蔽层具有自愈合功能,可以在柔性电子领域应用。
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公开(公告)号:CN110753441B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201810814826.X
申请日:2018-07-23
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元及其制造方法、电子器件及温控设备,所述电路转换单元包括:形状记忆聚合物层;液态金属,所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层;其中,所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状,以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布,所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物,使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化,以改变电路的连接方式,从而实现器件的模式转换,结构简单,成本较低,通用性强。
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