激光转印装置及方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110557902B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN201810552110.7

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种激光转印装置及方法,所述装置包括:激光器、扩束器、分光镜以及聚焦模块;所述激光器用于产生激光束;所述扩束器设置在所述激光器产生的激光束的光路上,用于将激光器产生的激光束扩束;所述分光镜设置在所述扩束器扩束后的激光束的光路上,用于使扩束后的激光束经过反射后进入所述聚焦模块;所述聚焦模块设置在所述分光镜反射后的激光束的光路上,用于对激光束进行聚焦并将聚焦后的激光束投射至预定转印加工位置。利用聚焦后的激光束进行转印,激光束照射面积减小,减小了热扩散的范围,进一步的减小了对周边其他器件的影响,实现了高精度的选择性转印。

    柔性硅片的制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110526202B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN201810517115.6

    申请日:2018-05-25

    Abstract: 本发明涉及柔性硅片的制备方法,包括步骤:提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层;在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构;采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄,且减薄效率高,成品率高。

    柔性硅片的制备方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110526201B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN201810517102.9

    申请日:2018-05-25

    Abstract: 本发明涉及柔性硅片的制备方法,包括步骤:提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;在所述硅片的所述侧面上形成抗刻蚀层;在所述硅片的所述第一表面上和所述第二表面上刻蚀形成微结构;采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄,且减薄效率高,成品率高。

    电路转换单元及其制造方法、电子器件及温控设备

    公开(公告)号:CN110753441B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201810814826.X

    申请日:2018-07-23

    Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元及其制造方法、电子器件及温控设备,所述电路转换单元包括:形状记忆聚合物层;液态金属,所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层;其中,所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状,以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布,所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物,使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化,以改变电路的连接方式,从而实现器件的模式转换,结构简单,成本较低,通用性强。

    封装测试方法和设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110993521A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911266921.1

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本申请涉及一种封装测试方法和设备,利用液态金属的流动性,将液态金属作为封装测试材料,以液态金属表面氧化后的灰度值和/或电阻值的变化作为判断依据,通过液态金属在透过待测封装层进入封装内部的水和空气的作用下,发生由液态金属金属相到金属氧化物的转变,通过获取的待测样品的灰度值/或电阻值得到待测样品的水氧透过率,由此判断待测封装层的水氧阻隔效果。

    晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110890443A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201811049971.X

    申请日:2018-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法,所述制备方法包括:提供硅片以及扩散源,其中所述扩散源包括扩散元素;采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层,所述预制层的厚度大于等于2μm;对带有所述预制层的硅片进行退火处理,使所述扩散元素扩散进入所述硅片中,以形成扩散层;以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制,可实现扩散层的可控制备,不仅工艺简单、成本低,还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性,可重复性好,得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□~110Ω/□,具有很好的实际应用价值。

    力传感器及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110553766A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201810542628.2

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种力传感器及其制造方法,涉及检测技术领域,所述力传感器包括:柔性基底、形成于所述柔性基底内的至少一个腔体、及设于所述腔体内壁的至少两个电极;所述腔体内填充有液态金属或胶态金属,所述液态金属或所述胶态金属将至少两个所述电极电连通。采用本发明实施例提供的技术方案,避免了现有技术中金属因多次弯折而发生非弹性形变的现象,提高了力检测的可靠性,更利于实现运动检测。

    柔性硅片的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110526201A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201810517102.9

    申请日:2018-05-25

    Abstract: 本发明涉及柔性硅片的制备方法,包括步骤:提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;在所述硅片的所述侧面上形成抗刻蚀层;在所述硅片的所述第一表面上和所述第二表面上刻蚀形成微结构;采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄,且减薄效率高,成品率高。

    微流体器件的制备方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110713168B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN201811231319.X

    申请日:2018-07-13

    Abstract: 本发明涉及一种微流体器件的制备方法。所述制备方法包括:向具有凹槽的模具中注入液态金属,并使液态金属凝固,得到固态金属;将所述固态金属与所述模具分离,并在所述固态金属上设置电极;在带有电极的固态金属表面形成包覆层,使所述固态金属包裹于包覆层内,所述电极至少部分伸出所述包覆层,得到预制器件;将所述预制器件固定于衬底内,并使固态金属熔融及使电极至少部分伸出所述衬底外,得到微流体器件。该制备方法简单、封装性好、器件一体性高、易于产业化。

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