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公开(公告)号：CN119542250A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311108817.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L21/762 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种范德华力键合制备超薄SiC/金刚石复合晶圆的方法，其步骤包括：在多晶金刚石片一表面形成石墨烯层得到金刚石/石墨烯晶圆；在SiC晶圆一表面形成石墨烯层得到SiC/石墨烯晶圆；通过离子注入在SiC/石墨烯晶圆的SiC面注入H+离子；通过范德华力键合将多晶金刚石和SiC依靠两者的石墨烯层键合得到键合晶圆片；对键合晶圆片的SiC层高温剥离得到超薄SiC/金刚石复合晶圆；对超薄SiC/金刚石复合晶圆的SiC层表面抛光处理。本发明提供的一种范德华力键合制备超薄SiC/金刚石复合晶圆的方法，可以实现金刚石和碳化硅的低空洞率和大尺寸键合，并能降低金刚石和器件之间的界面热阻，提高器件的输出功率密度。
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公开(公告)号：CN110896117B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811050878.0
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：⑴提供硅片以及扩散源；⑵将所述扩散源置于所述硅片表面上而形成预制层，所述预制层的厚度小于等于2μm；⑶对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述预制层中的扩散元素扩散进入所述硅片中，形成扩散层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110896117A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811050878.0
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：⑴提供硅片以及扩散源；⑵将所述扩散源置于所述硅片表面上而形成预制层，所述预制层的厚度小于等于2μm；⑶对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述预制层中的扩散元素扩散进入所述硅片中，形成扩散层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110896116A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811050376.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。
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公开(公告)号：CN110890443B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811049971.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110896116B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811050376.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。
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公开(公告)号：CN112828864B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011637886.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 软体机器人驱动器及模具，该软体机器人驱动器包括柔性基板及形变腔，所述形变腔的一端与所述柔性基板相连，并在另一端形成自由端，所述形变腔有多个，多个所述形变腔沿同一方向在所述柔性基板上间隔设置，在所述形变腔内设置有加热装置及液‑气相变工质。该软体机器人驱动器的结构较为简单，且具有较快的响应速度。
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公开(公告)号：CN115119119A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110285122.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种音频传感器，包括本体、管道、张紧装置、压电薄膜及信号处理电路，本体设有空腔，本体在空腔的一侧设有开口，张紧装置设置在开口处，压电薄膜固定在张紧装置上并遮挡开口，管道与本体连接并与空腔连通形成亥姆霍兹腔体，信号处理电路与压电薄膜连接。本申请的音频传感器，外界声波连续入射到管道与空腔形成的亥姆霍兹腔体中引起腔体内共振，对放大了入射声波的能量，放大的声波引发张紧装置上的压电薄膜的机械振动，从而刺激压电薄膜产生电信号，实现利用压电薄膜进行声电转化且声电转化效率高，此外，通过张紧装置来提高压电薄膜的振动灵敏性，有效提高了音频传感器的输出性能，且结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN112828864A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011637886.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 软体机器人驱动器及模具，该软体机器人驱动器包括柔性基板及形变腔，所述形变腔的一端与所述柔性基板相连，并在另一端形成自由端，所述形变腔有多个，多个所述形变腔沿同一方向在所述柔性基板上间隔设置，在所述形变腔内设置有加热装置及液‑气相变工质。该软体机器人驱动器的结构较为简单，且具有较快的响应速度。
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公开(公告)号：CN110890443A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811049971.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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